[发明专利]提升直接接合的接触对准容限

权利要求书

1.一种接合结构，其包括：

第一半导体组件，其包括传导性第一接触结构和相邻所述第一接触结构的非金属性第一接合区域，所述第一接触结构包括传导性第一长形接触特征；以及

第二半导体组件，其包括传导性第二接触结构和相邻所述第二接触结构的非金属性第二接合区域，所述第二接触结构包括传导性第二接触特征，

其中所述第一接合区域与所述第二接合区域接触并且直接接合，以及

其中所述第一长形接触特征被定向以与所述第二接触特征非平行，并且在所述第一长形接触特征和所述第二接触特征之间的相交点处与所述第二接触特征直接接触。

2.如权利要求1所述的接合结构，其中所述第一长形接触特征在所述相交点处与所述第二接触特征直接接合。

3.如权利要求1所述的接合结构，其中所述第二接触特征包括长形接触特征。

4.如权利要求3所述的接合结构，其中所述第一长形接触特征的第一侧上的氧化物与所述第二长形接触特征的第一侧与第二侧上的对应氧化物区域接合。

5.如权利要求1所述的接合结构，其中所述第一接触结构包括格栅图案形式的多个线路。

6.如权利要求1所述的接合结构，其中所述第一接触结构界定了绕着中心区域设置的边界和从所述中心区域向外延伸的多个传导区段。

7.如权利要求6所述的接合结构，其进一步包括多个横向连接件，其连接所述多个传导区段。

8.如权利要求7所述的接合结构，其中所述边界包括多边形或饼图案。

9.如权利要求1所述的接合结构，其中所述第一长形接触特征具有长度与宽度，所述长度是所述宽度的至少两倍。

10.如权利要求9所述的接合结构，其中所述第一长形接触特征的所述长度是所述宽度的至少五倍。

11.如权利要求1所述的接合结构，其中所述第一接触结构和所述第二接触结构中的至少一者包括金属和传导性掺杂的半导体材料中的至少一者。

12.如权利要求1所述的接合结构，其进一步包括直通硅晶穿孔(TSV)，其被设置在所述第一半导体组件内而在所述第一长形接触特征和所述第二接触特征的所述相交点之下。

13.如权利要求12所述的接合结构，其进一步括一或多个传导迹线，其被设置在所述TSV和所述第一长形接触特征之间且电性连接所述TSV与所述第一长形接触特征。

14.如权利要求1所述的接合结构，其中所述第一长形接触特征和所述第二接触特征中的至少一者是弯曲形的。

15.一种接合方法，其包括：

提供第一半导体组件，其包括传导性第一接触结构和相邻所述第一接触结构的非金属性第一接合区域，所述第一接触结构包括传导性第一长形接触特征；

提供第二半导体组件，其包括传导性第二接触结构和相邻所述第二接触结构的非金属性第二接合区域，所述第二接触结构包括传导性第二接触特征；

定向并且组装所述第一半导体组件和所述第二半导体组件，使得所述第一长形接触特征和所述第二接触特征是非平行的；

直接接合所述第一接合区域与所述第二接合区域；以及

在所述第一长形接触特征和所述第二接触特征之间的相交点处，直接接合所述第一长形接触特征和所述第二接触特征。

16.如权利要求15所述的方法，其中直接接合所述第一接合区域与所述第二接合区域包括在所述第一长形接触特征和所述第二接触特征之间留下初始间隙，并且加热所述第一半导体组件和所述第二半导体组件以使所述第一长形接触特征直接接触所述第二长形接触特征。