[发明专利]紫外线发光器件和发光器件封装有效
| 申请号： | 201680065564.0 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN108352426B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 朴赞槿;金设禧 | 申请（专利权）人： | 苏州乐琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00;H01L33/32;H01L33/48 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 实施例涉及一种紫外发光器件、紫外发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明装置。根据实施例的紫外发光器件包括：具有光提取结构的第一导电型第一半导体层；在第一导电型第一半导体层上的蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上的第一导电型第二半导体层；在第一导电型第二半导体层上的有源层；在有源层上的第二导电型半导体层；以及设置在蚀刻阻挡层和有源层之间的电子传播层，其中电子传播层包括第一导电型未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层、未掺杂的AlN、和第一导电型AlGaN基第二半导体层，从而由于第一导电型未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层与未掺杂的AlN之间的晶格常数差异，通过压电产生内部场，从而诱导电子在第一导电型未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层与未掺杂的AlN之间的界面处传播，因而能够改善电子传播。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 发光 器件 封装 | ||
【主权项】：
1.一种紫外发光器件，包括：具有光提取结构的第一导电型第一半导体层；在所述第一导电型第一半导体层上的蚀刻阻挡层；在所述蚀刻阻挡层上的第一导电型第二半导体层，在所述第一导电型第二半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电型半导体层；以及设置在所述蚀刻阻挡层与所述有源层之间的电子传播层，其中所述电子传播层包括未掺杂的AlN和第一导电型AlGaN基第二半导体层。
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