[发明专利]紫外线发光器件和发光器件封装

权利要求书

1.一种紫外发光器件，包括：

支撑构件；

位于所述支撑构件上的发光结构；

所述发光结构包括：第二导电型半导体层和第一导电型半导体层，设置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的有源层；

第一电极，设置在所述发光结构下方并电连接到所述第二导电型半导体层；

第二电极，设置在所述第一电极下方并电连接到所述第一导电型半导体层；以及

其中所述第一导电型半导体层包括：第一导电型第二半导体层，以及位于所述第一导电型第二半导体层上的第一导电型第一半导体层；

其中所述发光结构包括将第一导电型第二半导体层暴露到外部的多个凹部，

其中凹部的底表面暴露所述第一导电型第一半导体层，

其中所述第一导电型第一半导体层包括光提取图案，

其中蚀刻阻挡层设置在所述第一导电型第一半导体层与所述第一导电型第二半导体层之间，

其中电子传播层设置在所述蚀刻阻挡层与所述第一导电型第二半导体层之间，

其中所述电子传播层包括第一导电型AlGaN基第四半导体层、未掺杂AlN层、第一导电型AlGaN基第五半导体层、以及未掺杂的AlGaN基半导体层，

其中所述第一导电型AlGaN基第四半导体层设置在所述蚀刻阻挡层与未掺杂AlN层之间，

其中所述未掺杂AlN层设置在所述第一导电型AlGaN基第四半导体层与第一导电型AlGaN基第五半导体层之间，

所述第一导电型AlGaN基第五半导体层设置在所述未掺杂AlN层与未掺杂的AlGaN基半导体层之间，

所述未掺杂的AlGaN基半导体层设置在所述第一导电型AlGaN基第五半导体层与所述第一导电型第二半导体层之间，

其中所述未掺杂AlN层的带隙能量比所述第一导电型AlGaN基第四半导体层、所述第一导电型AlGaN基第五半导体层和所述未掺杂的AlGaN基半导体层的带隙能量大。

2.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第二电极包括扩散阻挡层，

其中所述扩散阻挡层的和所述第一导电型第二半导体层相接触的接触部分与所述电子传播层之间的距离为800至1200nm。

3.根据权利要求1或2所述的紫外发光器件，其中所述第一导电型第一半导体层、所述第一导电型第二半导体层和所述第二导电型半导体层由AlGaN系化合物构成。

4.根据权利要求2所述的紫外发光器件，其中所述蚀刻阻挡层被形成为使得AlN层和第一导电型AlGaN基第三半导体层以五对或更多对交替。

5.根据权利要求4所述的紫外发光器件，

其中所述第一电极包括接触层、反射层、覆盖层和焊盘。

6.根据权利要求2所述的紫外发光器件，其中所述第二电极包括所述扩散阻挡层、接合层以及所述支撑构件。

7.根据权利要求4所述的紫外发光器件，其中所述蚀刻阻挡层的所述AlN层的厚度为0.5至3nm。

8.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述蚀刻阻挡层的厚度为15至25nm。

9.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一导电型AlGaN基第四半导体层的厚度为5至20nm。

10.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述第一导电型AlGaN基第五半导体层具有Al_bGa_1-bN的组成比，并且Al组分随着朝向所述未掺杂的AlGaN基半导体层而逐渐减小，其中0.25≤b≤0.35。

11.根据权利要求1所述的紫外发光器件，其中所述未掺杂的AlGaN基半导体层的厚度为3至10nm。