[发明专利]紫外线发光器件和发光器件封装

说明书

实施例涉及一种紫外发光器件、紫外发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明装置。根据实施例的紫外发光器件包括：具有光提取结构的第一导电型第一半导体层；在第一导电型第一半导体层上的蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上的第一导电型第二半导体层；在第一导电型第二半导体层上的有源层；在有源层上的第二导电型半导体层；以及设置在蚀刻阻挡层和有源层之间的电子传播层，其中电子传播层包括第一导电型未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层、未掺杂的AlN、和第一导电型AlGaN基第二半导体层，从而由于第一导电型未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层与未掺杂的AlN之间的晶格常数差异，通过压电产生内部场，从而诱导电子在第一导电型未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层与未掺杂的AlN之间的界面处传播，因而能够改善电子传播。

技术领域

实施例涉及一种紫外发光器件、一种用于制造该紫外发光器件的方法、一种发光器件封装以及一种照明器件。

背景技术

发光器件(LED)是具有将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且可以通过混合周期表上的第III-V族元素或第II-VI族元素来形成，并且可以通过调整化合物半导体的组成比来表现各种颜色。

氮化物半导体由于其高的热稳定性和宽的带隙能量而在光学器件和高输出电子器件的发展领域受到极大关注。具体地，使用氮化物半导体的紫外(UV)LED、蓝色LED、绿色LED、红色LED等被商业化并广泛使用。

UV LED是发射200至400nm波长范围内的光的发光器件。UV LED由短波长和长波长组成，具体取决于应用。短波长用于灭菌或净化，长波长可用于曝光装置或固化装置等。

同时，为了提高光提取效率，UV LED通过诸如光电化学(PEC)等的方法在n型半导体层上形成光提取图案。

然而，光提取图案的过蚀刻可能发生在n型半导体层中，并且过蚀刻导致短路。即，通常的n型半导体层中通过PEC形成光提取图案由于短路等而具有成品率下降的问题。

同时，通常的UV LED具有电流集中在与电极相邻区域中的问题。

发明内容

【技术问题】

实施例可以提供能够改善电子传播(spread)的紫外发光器件、用于制造紫外发光器件的方法、发光器件封装和照明器件。

此外，实施例可以提供能够改善缺陷的紫外发光器件、用于制造紫外发光器件的方法、发光器件封装和照明器件。

【技术方案】

根据实施例的紫外发光器件包括：具有光提取结构的第一导电型第一半导体层；在第一导电型第一半导体层上的蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上的第一导电型第二半导体层，在第一导电型第二半导体层上的有源层；在有源层上的第二导电型半导体层；以及设置在所述蚀刻阻挡层和所述有源层之间的电子传播层(electron spreading layer)，其中所述电子传播层包括第一导电型或未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层、未掺杂的AlN、和第一导电型AlGaN基第二半导体层，从而由于第一导电型或未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层与未掺杂的AlN之间的晶格常数的差异，通过压电产生内场，并且诱导电子在第一导电型或未掺杂的AlGaN基或GaN基半导体层与未掺杂的AlN之间的界面处传播，可以改善电子传播。

根据实施例的发光器件封装可以包括所述紫外发光器件。

【有益效果】

在实施例的紫外发光器件中，光提取图案的深度受到限制，从而可以改善由短路导致的成品率降低。

另外，实施例的紫外发光器件可以改善结晶度。

另外，实施例的紫外发光器件可以改善电子传播。

附图说明

图1是示出根据实施例的紫外发光器件的平面图。