[发明专利]具有增强性质的倒装芯片模块在审
| 申请号： | 201680058198.6 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN108140624A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 朱利奥·C·科斯塔;托马斯·斯科特·莫里斯;乔纳森·哈勒·哈蒙德;大卫·扬德金斯基;斯蒂芬·帕克;乔恩·查德威克 | 申请（专利权）人： | QORVO美国公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;刘丹 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了具有至少一个倒装芯片管芯的倒装芯片模块。所述倒装芯片模块包括具有顶表面的载体，其中第一模制化合物位于所述顶表面上。第一模制化合物设置于所述载体的所述顶表面上。第一薄化的倒装芯片管芯位于所述第一模制化合物的第一部分之上，其中互连件延伸穿过所述第一部分到达所述顶表面，其中所述模制化合物的所述第一部分填充所述第一倒装芯片管芯和所述顶表面之间的区域。第二模制化合物位于所述衬底之上并且在所述第一倒装芯片管芯之上提供第一凹陷，其中所述第一凹陷延伸到所述第一倒装芯片管芯的第一管芯表面。第三模制化合物位于所述第一凹陷中并覆盖所述倒装芯片管芯的暴露表面。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装芯片管芯 顶表面 倒装芯片 第一模 凹陷 模制化合物 暴露表面 管芯表面 延伸穿过 第二模 互连件 薄化 衬底 填充 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
一种倒装芯片模块，其包括：·载体，其具有顶表面；·第一模制化合物，其位于所述顶表面上；·第一薄化的倒装芯片管芯，其位于所述第一模制化合物的第一部分之上并且具有延伸穿过所述第一模制化合物的所述第一部分到达所述顶表面的第一组互连件，其中所述第一模制化合物的所述第一部分填充所述第一薄化的倒装芯片管芯和所述顶表面之间的区域；·第二模制化合物，其位于所述载体之上并且与所述第一模制化合物接触并且在所述第一薄化的倒装芯片管芯之上提供第一凹陷，其中所述第一凹陷延伸到所述第一薄化的倒装芯片管芯的第一管芯表面；以及·第三模制化合物，其位于所述第一凹陷中并覆盖所述第一薄化的倒装芯片管芯的第一暴露表面。
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