[发明专利]用于控制可转移半导体结构的释放的结构及方法有效
申请号: | 201680056814.4 | 申请日: | 2016-10-21 |
公开(公告)号: | CN108137311B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·鲍尔;马修·迈托 | 申请(专利权)人: | 艾克斯瑟乐普林特有限公司 |
主分类号: | B81C99/00 | 分类号: | B81C99/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘锋 |
地址: | 爱尔*** | 国省代码: | 爱尔兰;IE |
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摘要: | 所揭示技术大体来说涉及用于控制微型装置的释放的方法及系统。在将微型装置转移到目的地衬底之前,先形成上面具有微型装置的同质衬底。所述微型装置可分布于所述同质衬底上方且通过锚定件结构在空间上彼此分离。所述锚定件物理地连接/固定到所述同质衬底。系链将每一微型装置物理地固定到一或多个锚定件,借此将所述微型装置悬置于所述同质衬底上方。在特定实施例中,使用单系链设计来控制例如Si(1 0 0)等衬底上的可释放结构中的内应力的松弛。除其它益处以外,单系链设计还提供以下额外益处:在微组装过程中,在从同质衬底取回时较容易断开。在特定实施例中,狭窄系链设计用于避免对底切蚀刻前端的钉扎。 | ||
搜索关键词: | 衬底 微型装置 同质 系链 锚定件 蚀刻 半导体结构 彼此分离 释放 地连接 可释放 可转移 微组装 底切 钉扎 取回 断开 松弛 狭窄 | ||
【主权项】:
1.一种微型装置阵列,所述阵列包括:包括硅(1 0 0)的源衬底,其具有处理侧;牺牲层,其包括具有各向异性晶体结构的硅(1 0 0)牺牲材料、位于所述源衬底的所述处理侧上;多个可释放微型物件,其至少部分地形成于所述牺牲层上;多个锚定件结构,其位于所述源衬底的所述处理侧上,其中所述锚定件结构在不存在所述牺牲材料的情况下仍刚性地附接到所述源衬底;及多个系链,其中所述多个系链中的每一系链将所述多个可释放微型物件中的一个可释放微型物件横向连接到所述锚定件结构中的一者的一部分,每一可释放微型物件通过单个系链连接到锚定件,且所述系链形成为响应于压力而断裂。
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