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[发明专利]用于在衬底上纳米滴落1D、2D或3D结构的方法-CN201280031453.X无效
发明人：帕特里克·加利克;朱利安·施奈德;迪莫斯·普利卡科斯;瓦希德·桑多达尔;穆罕默德·哈迪·埃格利迪 -专利权人：苏黎世联邦理工学院
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： B81C99/00 文献下载
摘要：提出了一种通过具有至少为50nm的外部直径(3，D)的用于保持墨的液体储存器(2)由溶液(6)制造纳米尺度或微米尺度的1D、2D和/或3D沉积物的方法，其中在毛细管(2)中提供有与所述墨(6)接触的电极(7、8或9)，并且其中在待在其上制造沉积物的衬底(15)中和/或上和/或下方和/或上方存在对电极，该方法包括以下步骤：i)保持电极(7、8、9)与对电极(15、18)处于基本等电位；ii)在电极(7、8、9)与对电极(15、18)之间建立电位差，该电位差导致在喷嘴(3)处墨弯液面(1)的生长，并且导致在该弯液面处具有小于弯液面尺寸(11)的均匀尺寸的液滴以均匀喷出频率喷出；保持所施加的电压，而液滴被连续干燥留下分散的材料，导致具有与单个液滴基本相同的直径的结构的出现，其中至少在纳米液滴(13)喷出的时刻(12)，衬底(1)与喷嘴(3)之间的距离小于或等于弯液面直径的20倍；其中墨(6)的导电率足够高以使液体弯液面在液滴喷出期间稳定。
用于衬底纳米滴落结构方法