[发明专利]在可光刻蚀刻层中包括桥接的集成器件封装有效
| 申请号： | 201680047813.3 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN107924905B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | S·顾;H·B·蔚;J·S·李;D·W·金 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李小芳;袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成器件封装包括第一管芯、第二管芯、耦合到该第一管芯和该第二管芯的包封部分，以及耦合到该包封部分的重分布部分。该包封部分包括包封层、桥接、以及第一通孔。该桥接至少部分地嵌入在该包封层中。该桥接被配置成提供用于该第一管芯和该第二管芯之间的第一信号的第一电路径。该第一通孔位于该包封层中。该第一通孔被耦合到该桥接。该第一通孔和该桥接被配置成提供用于去往该第一管芯的第二信号的第二电路径。该重分布部分包括至少一个介电层和在该介电层中的耦合到该第一通孔的至少一个互连。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 蚀刻 包括 集成 器件 封装 | ||
【主权项】：
一种集成器件封装基底，包括：包封部分，包括：包封层；至少部分地嵌入在所述包封层中的桥接，所述桥接配置成提供用于第一管芯和第二管芯之间的第一信号的第一电路径；以及所述包封层中的耦合到所述桥接的第一通孔，其中所述第一通孔和所述桥接被配置成提供用于去往所述第一管芯的第二信号的第二电路径；以及重分布部分，所述重分布部分耦合到所述包封部分，所述重分布部分包括：至少一个介电层；以及所述至少一个介电层中的耦合到所述第一通孔的至少一个互连。
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