[发明专利]利用等离子体原子层沉积法的氮化硅薄膜的制造方法在审
| 申请号： | 201680047188.2 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107923041A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张世珍;李相道;赵晟佑;金成基;杨炳日;昔壮衒;李相益;金铭云 | 申请（专利权）人： | DNF有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/34;C23C16/02;C23C16/50;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 苗堃,金世煜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及利用等离子体原子层沉积法的氮化硅薄膜的制造方法，更详细而言，用于提供如下的氮化硅薄膜的制造方法，将具有特定Si‑N键的氨基硅烷衍生物适用于等离子体原子层沉积法，从而在更低功率和成膜温度条件下制造高品质的包含Si‑N键的氮化硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 等离子体 原子 沉积 氮化 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种利用等离子体增强原子层沉积即PEALD的氮化硅薄膜的制造方法，其特征在于，包括：使氨基硅烷衍生物或硅氮烷衍生物吸附于基板上的第1步骤；以及，向所述基板注入反应气体而生成等离子体，从而形成Si‑N键的原子层的第2步骤，所述等离子体的功率Pp1和照射量PD满足下述条件，50W≤Pp1≤300W1.0Wsec/cm2≤PD≤4.0Wsec/cm2。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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