[发明专利]薄膜型太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680044535.6 申请日: 2016-06-10
公开(公告)号: CN108140681B 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 金容玹;朴昶均;金永箕;金德镐;闵庆仁;崔相洙 申请(专利权)人: 周星工程股份有限公司
主分类号: H01L31/0445 分类号: H01L31/0445;H01L31/18;H01L31/0224;H01L21/67
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 李琳;陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种薄膜型太阳能电池,所述薄膜型太阳能电池防止第一电极和第二电极之间由于分离部中产生的毛刺而发生短路,从而防止输出降低。所述薄膜型太阳能电池包括:基板;第一电极,设置在所述基板上并且通过第一分离部与相邻的第一电极分隔开;半导体层,设置在所述第一电极上并且通过接触部和第二分离部与相邻的半导体层分隔开;以及第二电极,设置在所述半导体层上并且通过所述第二分离部与相邻的第二电极分隔开。所述半导体层通过所述第一分离部与所述基板接触,并且所述第二电极通过所述接触部与所述第一电极接触。在所述第二分离部中产生的毛刺的高度低于所述第一电极与所述第二电极之间的高度。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种薄膜型太阳能电池,包括:基板;第一电极,设置在所述基板上并且通过第一分离部与相邻的第一电极分隔开;半导体层,设置在所述第一电极上并且通过接触部和第二分离部与相邻的半导体层分隔开,所述半导体层通过所述第一分离部与所述基板接触;以及第二电极,设置在所述半导体层上并且通过所述第二分离部与相邻的第二电极分隔开,所述第二电极通过所述接触部与所述第一电极接触,其中在所述第二分离部中产生的毛刺的高度低于所述第一电极与所述第二电极之间的高度。
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