[发明专利]薄膜型太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201680044535.6 | 申请日: | 2016-06-10 |
公开(公告)号: | CN108140681B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 金容玹;朴昶均;金永箕;金德镐;闵庆仁;崔相洙 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/18;H01L31/0224;H01L21/67 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种薄膜型太阳能电池,所述薄膜型太阳能电池防止第一电极和第二电极之间由于分离部中产生的毛刺而发生短路,从而防止输出降低。所述薄膜型太阳能电池包括:基板;第一电极,设置在所述基板上并且通过第一分离部与相邻的第一电极分隔开;半导体层,设置在所述第一电极上并且通过接触部和第二分离部与相邻的半导体层分隔开;以及第二电极,设置在所述半导体层上并且通过所述第二分离部与相邻的第二电极分隔开。所述半导体层通过所述第一分离部与所述基板接触,并且所述第二电极通过所述接触部与所述第一电极接触。在所述第二分离部中产生的毛刺的高度低于所述第一电极与所述第二电极之间的高度。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜型太阳能电池,包括:基板;第一电极,设置在所述基板上并且通过第一分离部与相邻的第一电极分隔开;半导体层,设置在所述第一电极上并且通过接触部和第二分离部与相邻的半导体层分隔开,所述半导体层通过所述第一分离部与所述基板接触;以及第二电极,设置在所述半导体层上并且通过所述第二分离部与相邻的第二电极分隔开,所述第二电极通过所述接触部与所述第一电极接触,其中在所述第二分离部中产生的毛刺的高度低于所述第一电极与所述第二电极之间的高度。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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