[发明专利]有源元件及有源元件的制造方法有效
| 申请号: | 201680043593.7 | 申请日: | 2016-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN107851582B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
| 发明(设计)人: | 滩秀明 | 申请(专利权)人: | NISSHA株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 玉昌峰;吴孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供分隔壁相对于电极的位置偏移得到了抑制的有源元件及有源元件的制造方法。本发明的有源元件具有:基材2;第一电极5和第二电极6,在基材2的一主面上相邻地形成;有机半导体层9,在基材2的一主面上,以至少覆盖第一电极5与第二电极6之间的区域的方式而形成;以及分隔壁12,在基材2的一主面上,形成于比有机半导体层9更靠面方向外侧、且与形成有第一电极5和第二电极6的区域不同的区域,分隔壁12是导电材料。 | ||
| 搜索关键词: | 有源 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有源元件,其特征在于,具有:基材;第一电极和第二电极,在该基材的一主面上相邻地形成;有机半导体层,在所述基材的一主面上,形成为至少覆盖所述第一电极与所述第二电极之间的区域;以及分隔壁,在所述基材的一主面上形成于比所述有机半导体层更靠面方向外侧的位置、且形成于与形成有所述第一电极和所述第二电极的区域不同的区域,所述分隔壁是导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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