[发明专利]有源元件及有源元件的制造方法

说明书

本发明提供分隔壁相对于电极的位置偏移得到了抑制的有源元件及有源元件的制造方法。本发明的有源元件具有：基材2；第一电极5和第二电极6，在基材2的一主面上相邻地形成；有机半导体层9，在基材2的一主面上，以至少覆盖第一电极5与第二电极6之间的区域的方式而形成；以及分隔壁12，在基材2的一主面上，形成于比有机半导体层9更靠面方向外侧、且与形成有第一电极5和第二电极6的区域不同的区域，分隔壁12是导电材料。

技术领域

本发明涉及在半导体层使用有机半导体的有源元件。

背景技术

近年来，随着有源元件的薄型化、柔性化、轻量化、大面积化等的需求增加，作为基材材料，使用了聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)等高分子膜。随之，开发出了各种将能够在该膜的耐热温度以下成膜的有机半导体用作半导体层的有源元件。在有机半导体的成膜使用印刷法的情况下，由于含有有机半导体的墨水的润湿铺展方式与有源元件的特性直接相关，因此所制造的各个元件可能产生特性的偏差。为了控制该墨水的润湿铺展，包围墨水的围堰(分隔壁)例如由通过含有氟成分而具有疏液性的绝缘体材料形成。这种围堰例如通过光刻法、印刷法形成(例如，参照专利文献1的段落0028、0033)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2008/120351号

发明内容

发明要解决的问题

由于聚四氟乙烯(PTFE)等含有氟成分的绝缘体材料相对于有机半导体墨水的润湿性低，因此适合作为分隔壁的材料。但是，需要在电极的形成工序之外进行分隔壁的形成工序，因此容易发生分隔壁相对于电极的位置偏移。特别是，在使用膜作为基材的情况下，由于随着反复进行成膜、热处理等热工序，基材会延伸或收缩，尺寸有可能发生变化，因此更容易发生分隔壁相对于电极的位置偏移。考虑到分隔壁相对于电极的位置偏移，在围堰的位置、大小的设计上需要设置余裕，随之有源元件的面方向的尺寸有可能增大。

于是，本发明的目的在于，提供有机半导体墨水的润湿铺展和分隔壁相对于电极的位置偏移得到了抑制的有源元件和有源元件的制造方法。

用于解决问题的方案

可达到上述目的的本发明的有源元件其要点在于，具有：基材；第一电极和第二电极，在该基材的一主面上相邻地形成；有机半导体层，在基材的一主面上，形成为至少覆盖第一电极与第二电极之间的区域；以及分隔壁，在基材的一主面上形成于比有机半导体层更靠面方向外侧的位置、且形成于与形成有第一电极和第二电极的区域不同的区域，分隔壁是导电材料。由于本发明的有源元件的分隔壁是导电材料，因此能够通过形成电极的工序一起形成分隔壁，能够省略另外设置分隔壁的工序。除此之外，在本发明中，由于分隔壁相对于第一电极和第二电极的位置偏移被抑制，因此容易控制有机半导体墨水的润湿铺展。

优选地，分隔壁形成有多个，在一分隔壁与另外的分隔壁之间形成有有机半导体层。由此，能够在考虑多种电极形状的同时阻挡有机半导体墨水的润湿铺展。

优选地，第一电极的一条边与第二电极的一条边相对配置，一分隔壁与另外的分隔壁相对配置，第一电极的一条边和第二电极的一条边相对的方向与一分隔壁和另外的分隔壁相对的方向正交。通过第一电极、第二电极、一分隔壁、另外的分隔壁，能够从四个方向阻挡有机半导体墨水的润湿铺展。

优选地，分隔壁的导电材料是Cu。由于Cu的润湿性比其它导电材料低，因此如果使用Cu作为分隔壁的材料，则能够抑制有机半导体墨水向面方向外侧铺开。

优选地，具有：绝缘层，形成在有机半导体层上；以及第三电极，形成在绝缘层上，分隔壁的润湿性小于基材的润湿性。由此，有机半导体墨水在基材上适度铺开的同时容易配置于比分隔壁更靠面方向内侧的位置。