[发明专利]有源元件及有源元件的制造方法有效
| 申请号: | 201680043593.7 | 申请日: | 2016-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN107851582B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
| 发明(设计)人: | 滩秀明 | 申请(专利权)人: | NISSHA株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 玉昌峰;吴孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有源 元件 制造 方法 | ||
1.一种有源元件,其特征在于,具有:
基材;
第一电极和第二电极,在该基材的一主面上相邻地形成;
有机半导体层,在所述基材的一主面上,形成为至少覆盖所述第一电极与所述第二电极之间的区域;以及
分隔壁,在所述基材的一主面上形成于比所述有机半导体层更靠面方向外侧的位置、且形成于与形成有所述第一电极和所述第二电极的区域不同的区域,
所述分隔壁是导电材料。
2.根据权利要求1所述的有源元件,其中,
所述分隔壁形成有多个,
在一所述分隔壁与另外的所述分隔壁之间形成有所述有机半导体层。
3.根据权利要求2所述的有源元件,其中,
所述第一电极的一条边与所述第二电极的一条边相对配置,
一所述分隔壁与另外的所述分隔壁相对配置,
所述第一电极的一条边和所述第二电极的一条边相对的方向与一所述分隔壁和另外的所述分隔壁相对的方向正交。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有源元件,其中,
所述分隔壁的所述导电材料是Cu。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的有源元件,其中,所述有源元件具有:
绝缘层,形成在所述有机半导体层上;以及
第三电极,形成在该绝缘层上,
所述分隔壁的润湿性小于所述基材的润湿性。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的有源元件,其中,所述有源元件具有:
第三电极,形成在所述基材的一主面上;以及
绝缘层,形成在该第三电极上,
所述第一电极、所述第二电极、所述有机半导体层形成在所述绝缘层上,并且,所述分隔壁的润湿性小于所述绝缘层的润湿性。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的有源元件,其中,
所述有源元件具有形成在所述基材的另一主面上的第三电极,
所述分隔壁的润湿性小于所述基材的润湿性。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的有源元件,其中,
所述分隔壁的润湿性小于所述第一电极及所述第二电极的润湿性。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的有源元件,其中,
所述第一电极具有形成在所述基材的一主面上的下侧第一电极和形成在该下侧第一电极上的上侧第一电极,
所述第二电极具有形成在所述基材的一主面上的下侧第二电极和形成在该下侧第二电极上的上侧第二电极,
所述上侧第一电极的润湿性小于所述下侧第一电极的润湿性,
所述上侧第二电极的润湿性小于所述下侧第二电极的润湿性。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的有源元件,其中,
所述分隔壁在所述基材的厚度方向上形成得高于所述第一电极和所述第二电极的至少一部分。
11.一种有源元件的制造方法,其特征在于,包括以下工序:
在基材的一主面上形成第一导电层;
在所述第一导电层上形成第二导电层;
在所述第二导电层上形成掩模层;
通过使所述第一导电层及所述第二导电层与蚀刻液接触而除去所述第一导电层及所述第二导电层的未被所述掩模层覆盖的区域,从而在所述基材的一主面上形成相邻的第一电极和第二电极,并在所述基材的一主面上的与形成有所述第一电极和所述第二电极的区域不同的区域且是在所述第一电极与所述第二电极之间的区域的外侧形成分隔壁;以及
在所述基材的一主面上,以至少覆盖所述第一电极与所述第二电极之间的区域且所述分隔壁位于面方向外侧的方式形成有机半导体层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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