[发明专利]摄像装置及其制造方法

摘要

一种摄像装置，其中：多个受光元件(10)以二维矩阵形状排列；各个受光元件(10)包括第一电极(31)、光电转换层(20)和第二电极(32)；光电转换层(20)具有其中具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)和具有第二导电类型的第二化合物半导体层(22)从第一电极侧层叠的层叠结构，第二导电类型是与第一导电类型相反的导电类型；在受光元件(10)与受光元件(10)之间的区域(11)中的第二化合物半导体层被去除；第一电极(31)和第一化合物半导体层(21)由受光元件共享；第一电极附近的第一化合物半导体层(21A)的杂质浓度低于第二化合物半导体层附近的第一化合物半导体层(21B)的杂质浓度。

主权项

一种摄像装置，所述摄像装置包括以二维矩阵形状排列的多个受光元件，其中各个受光元件包括第一电极、光电转换层和第二电极，光电转换层具有其中具有第一导电类型的第一化合物半导体层和具有第二导电类型的第二化合物半导体层从第一电极侧层叠的层叠结构，第二导电类型是与第一导电类型相反的导电类型，在受光元件与受光元件之间的区域中的第二化合物半导体层被去除，第一电极和第一化合物半导体层由受光元件共享，以及第一电极附近的第一化合物半导体层的杂质浓度低于第二化合物半导体层附近的第一化合物半导体层的杂质浓度。