[发明专利]发光二极管和用于制造发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201680035722.8 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107750402B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 西格弗里德·赫尔曼 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种发光二极管(100)，所述发光二极管具有光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有辐射侧(16)、与辐射侧(16)相对置的接触侧(12)和横向于辐射侧(16)伸展的侧面(15)。在接触侧(12)上安置有用于外部电接触半导体芯片(1)的第一接触元件(10)。此外，发光二极管(100)包括透明的实心体(2)以及覆盖元件(3)。在正常运行中，半导体芯片(1)经由辐射侧(16)沿着横向于辐射侧(16)伸展的主发射方向(17)发射电磁辐射。在此，半导体芯片(1)嵌入到实心体(2)中，其中侧面(15)和辐射侧(16)由实心体(2)形状配合地覆盖。实心体(2)沿着主发射方向(17)扩宽。覆盖元件(3)沿主发射方向(17)设置在实心体(2)的下游，并且直接地施加到实心体(2)上。覆盖元件(3)的背离实心体(2)的一侧构成为发光二极管(100)的辐射出射面(30)。第一接触元件(10)在发光二极管(100)的未安装和/或未接触的状态下露出。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管(100)，所述发光二极管具有：‑光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有辐射侧(16)、与所述辐射侧(16)相对置的接触侧(12)和横向于所述辐射侧(16)伸展的侧面(15)，其中在所述接触侧(12)上安置有用于外部电接触所述半导体芯片(1)的第一接触元件(10)，‑透明的实心体(2)，‑覆盖元件(3)，其中‑所述半导体芯片(1)在正常运行中经由所述辐射侧(16)沿着横向于所述辐射侧(16)伸展的主发射方向(17)发射电磁辐射，‑所述半导体芯片(1)嵌入所述实心体(2)中，其中所述侧面(15)和所述辐射侧(16)由所述实心体(2)形状配合地覆盖，‑所述实心体(2)沿着所述主发射方向(17)扩宽，‑所述覆盖元件(3)沿所述主发射方向设置在所述实心体(2)的下游，并且直接地施加到所述实心体(2)上，‑所述覆盖元件(3)的背离所述实心体(2)的一侧构成为所述发光二极管(100)的辐射出射面(30)，‑所述第一接触元件(10)在所述发光二极管(100)的未安装的和/或未接触的状态下露出。
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