[发明专利]发光二极管和用于制造发光二极管的方法

说明书

提出一种发光二极管(100)，所述发光二极管具有光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有辐射侧(16)、与辐射侧(16)相对置的接触侧(12)和横向于辐射侧(16)伸展的侧面(15)。在接触侧(12)上安置有用于外部电接触半导体芯片(1)的第一接触元件(10)。此外，发光二极管(100)包括透明的实心体(2)以及覆盖元件(3)。在正常运行中，半导体芯片(1)经由辐射侧(16)沿着横向于辐射侧(16)伸展的主发射方向(17)发射电磁辐射。在此，半导体芯片(1)嵌入到实心体(2)中，其中侧面(15)和辐射侧(16)由实心体(2)形状配合地覆盖。实心体(2)沿着主发射方向(17)扩宽。覆盖元件(3)沿主发射方向(17)设置在实心体(2)的下游，并且直接地施加到实心体(2)上。覆盖元件(3)的背离实心体(2)的一侧构成为发光二极管(100)的辐射出射面(30)。第一接触元件(10)在发光二极管(100)的未安装和/或未接触的状态下露出。

技术领域

提出一种发光二极管。此外，提出一种用于制造发光二极管的方法。

发明内容

要实现的目的在于：提出一种发光二极管，所述发光二极管被尤其好地保护免受外部影响、例如湿气进入，并且所述发光二极管的放射特性和放射功率是有效的。另一要实现的目的在于：提出一种用于制造这种发光二极管的方法。

所述目的还通过根据本发明的设备和方法来实现。有利的改进形式和设计方案是下面描述的主题。

根据至少一个实施方式，发光二极管具有光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有辐射侧和与辐射侧相对置的接触侧。辐射侧和/或接触侧例如形成主侧，即具有半导体芯片的最大的横向扩展的侧。此外，半导体芯片具有横向于辐射侧或接触侧伸展的侧面，所述侧面将接触侧和辐射侧彼此连接。在半导体芯片的接触侧上安置有用于外部电接触半导体芯片的第一接触元件。第一接触元件例如具有金属或由其构成。

半导体芯片能够具有辅助载体，在所述辅助载体上施加有半导体层序列。在此，辅助载体能够形成半导体芯片的用于稳定的部件，使得半导体芯片是自承的且机械稳定的。因此不需要除辅助载体之外的其他稳定措施。辅助载体能够是用于半导体层序列的生长衬底。替选地，辅助载体也能够与生长衬底不同，在该情况下，生长衬底能够移除。例如，辅助载体基于Si、SiC、Ge、蓝宝石、GaN、GaAs、塑料、半导体材料或金属。

半导体层序列例如基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如是氮化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mN，或是磷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mP，或也是砷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mAs，其中分别有0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而，为了简单性仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。优选地，半导体层序列基于AlInGaN或AlInGaAs。

根据至少一个实施方式，在正常运行中，半导体芯片设计用于：产生电磁辐射并且经由辐射侧沿着横向于或垂直于辐射侧伸展的主发射方向发射电磁辐射。主发射方向例如从接触侧超过辐射侧指出半导体芯片。

为了产生辐射，半导体层序列例如能够具有有源层。有源层尤其包括至少一个pn结和/或呈单量子阱、简称SQW形式的或呈多量子阱结构、简称MQW形式的量子阱结构。

在正常运行中，有源层例如产生在蓝色光谱范围中和/或在紫外范围中和/或在可见光谱范围中的辐射。

根据至少一个实施方式，发光二极管具有透明的、尤其透视的实心体。实心体优选构成为是实心的和/或一件式的。