[发明专利]发光二极管和用于制造发光二极管的方法

权利要求书

1.一种发光二极管(100)，所述发光二极管具有：

-光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有第一接触元件(10)、辐射侧(16)、与所述辐射侧(16)相对置的接触侧(12)和横向于所述辐射侧(16)伸展的侧面(15)，其中在所述接触侧(12)上安置有用于外部电接触所述半导体芯片(1)的所述第一接触元件(10)，

-透明的实心体(2)，

-覆盖元件(3)，其中

-所述半导体芯片(1)在正常运行中经由所述辐射侧(16)沿着横向于所述辐射侧(16)伸展的主发射方向(17)发射电磁辐射，

-所述半导体芯片(1)嵌入所述实心体(2)中，其中所述侧面(15)和所述辐射侧(16)由所述实心体(2)形状配合地覆盖，

-所述实心体(2)沿着所述主发射方向(17)扩宽，

-所述覆盖元件(3)沿所述主发射方向设置在所述实心体(2)的下游，并且直接地施加到所述实心体(2)上，

-所述覆盖元件(3)的背离所述实心体(2)的一侧构成为所述发光二极管(100)的辐射出射面(30)，

-所述第一接触元件(10)在所述发光二极管(100)的未安装的和/或未接触的状态下露出，

-所述实心体(2)具有一个或多个横向于所述辐射侧(16)伸展的侧表面(25)，

-所述侧表面(25)用镜层(4)包覆,

-第一钝化层(40)设置在所述实心体(2)和所述镜层(4)之间，

-所述第一钝化层(40)在-20℃至+100℃的整个范围中具有位于所述实心体(2)的热膨胀系数和所述镜层(4)的热膨胀系数之间的热膨胀系数，其中数值包括边界值。

2.根据权利要求1所述的发光二极管(100)，其中

-所述镜层(4)对于由所述半导体芯片(1)发射的辐射具有至少80％的反射率。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管(100)，其中

-所述实心体(2)具有下述材料中的一种或多种或由下述材料中的一种或多种构成：塑料、硅酮、硅氧烷、丙烯酸酯、聚对二甲苯、玻璃，

-所述实心体(2)严密地封装所述半导体芯片(1)。

4.根据权利要求3所述的发光二极管(100)，其中

所述硅酮是透明硅酮。

5.根据权利要求1或2所述的发光二极管(100)，其中

-第二钝化层(41)施加在所述镜层(4)的外侧上。

6.根据权利要求1或2所述的发光二极管(100)，

其中在所述接触侧(12)上安置有用于外部电接触所述半导体芯片(1)的第二接触元件(11)。

7.根据权利要求6所述的发光二极管(100)，其中

-将所述镜层(4)引导直至所述接触侧(12)上，并且与所述第一接触元件(10)导电连接，

-所述镜层(4)与所述第二接触元件(11)导电连接，

-所述镜层(4)沿着缝隙(44)中断，使得在运行中在所述第一接触元件(10)和所述第二接触元件(11)之间不出现短路，

-所述缝隙(44)具有最高10μm的宽度。

8.根据权利要求6所述的发光二极管(100)，其中

-将所述镜层(4)引导直至所接触侧(12)上，并且与所述第二接触元件(11)导电连接，

-所述第一接触元件(10)和所述第二接触元件(11)上下相叠，使得在所述接触侧(12)的区域中，所述第二接触元件(11)设置在所述半导体芯片(1)和所述第一接触元件(10)之间，

-所述第一接触元件(10)形成另一镜，所述另一镜在所述接触侧(12)的俯视图中完全地遮盖所述半导体芯片(1)。

9.根据权利要求1或2所述的发光二极管(100)，其中所述覆盖元件(3)的横向于所述辐射出射面(30)伸展的侧面(35)和所述实心体(2)的所述侧表面(25)完全地用所述镜层(4)包覆。