[发明专利]阵列基板及其制造方法

摘要

一种阵列基板的制造方法，包括：在基板(10)上依次形成栅极(20)、栅极绝缘层(30)、金属氧化物半导体层(40)、第一保护层(50)和源漏极层(60)；在源漏极层(60)上形成光阻层(70)，光阻层(70)上设置有镂空区(71)；去除源漏极层(60)之露出于镂空区(71)的部分，以露出第一保护层(50)；对第一保护层(50)之露出于镂空区(71)的部分进行干法蚀刻，以使得第一保护层(50)之露出于镂空区(71)的部分与第一保护层(50)之其余部分隔断。第一保护层(50)可以保护金属氧化物半导体层(40)不被蚀刻，避免金属氧化物半导体层(40)表面被损毁，保证了电子迁移率，提升阵列基板的性能。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、第一保护层和源漏极层；在所述源漏极层上形成光阻层，所述光阻层上设置有镂空区；去除所述源漏极层之露出于所述镂空区的部分，以露出所述第一保护层；对所述第一保护层之露出于所述镂空区的部分进行干法蚀刻，以使得所述第一保护层之露出于所述镂空区的部分与所述第一保护层之其余部分隔断。