[发明专利]交叉指状多面对称扇出及相关的系统及方法在审
| 申请号： | 201680034150.1 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN108283015A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 摩根·T·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 全斯莱瑞公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/28;H01L23/12;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文揭示用于使用晶片中继器测试半导体晶片的系统及方法。在一个实施例中，一种用于测试半导体裸片的设备包含晶片中继器，所述晶片中继器具有面向所述裸片的晶片侧及背向所述晶片侧的探查侧。所述晶片中继器的所述探查侧运载第一多个探查侧接触结构及第二多个探查侧接触结构。所述第一多个所述探查侧接触结构与所述第二多个所述探查侧接触结构交错。 | ||
| 搜索关键词： | 探查 晶片 侧接触 中继器 裸片 半导体晶片 测试半导体 中继器测试 交叉指状 面对称 扇出 运载 交错 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试半导体裸片的设备，其包括：晶片中继器，其具有晶片侧，其面向所述裸片，其中所述晶片中继器的所述晶片侧运载第一多个晶片侧接触结构及第二多个晶片侧接触结构，其中所述第一多个所述晶片侧接触结构经配置以面向第一裸片的裸片接点，且其中所述第二多个所述晶片侧接触结构经配置以面向第二裸片的裸片接点；探查侧，其背向所述晶片侧，其中所述晶片中继器的所述探查侧运载第一多个探查侧接触结构及第二多个探查侧接触结构；及导电迹线，其使所述第一多个所述晶片侧接触结构与所述第一多个探查侧接触结构连接，且使所述第二多个所述晶片侧接触结构与所述第二多个探查侧接触结构连接，其中所述第一多个所述探查侧接触结构与所述第二多个所述探查侧接触结构交错。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全斯莱瑞公司，未经全斯莱瑞公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680034150.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
