[发明专利]交叉指状多面对称扇出及相关的系统及方法在审
申请号: | 201680034150.1 | 申请日: | 2016-05-27 |
公开(公告)号: | CN108283015A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 摩根·T·约翰逊 | 申请(专利权)人: | 全斯莱瑞公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R31/28;H01L23/12;H01L21/68 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 探查 晶片 侧接触 中继器 裸片 半导体晶片 测试半导体 中继器测试 交叉指状 面对称 扇出 运载 交错 | ||
本文揭示用于使用晶片中继器测试半导体晶片的系统及方法。在一个实施例中,一种用于测试半导体裸片的设备包含晶片中继器,所述晶片中继器具有面向所述裸片的晶片侧及背向所述晶片侧的探查侧。所述晶片中继器的所述探查侧运载第一多个探查侧接触结构及第二多个探查侧接触结构。所述第一多个所述探查侧接触结构与所述第二多个所述探查侧接触结构交错。
本申请案主张2015年6月10日申请的第62/230,608号美国临时申请案及2015年11月13日申请的第62/255,230号美国临时申请案的权益,所述临时申请案两者的全文特此以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明大体上涉及半导体测试装备,且更特定来说,涉及用于路由测试信号/电力到半导体裸片的集成电路及路由来自所述集成电路的测试信号/电力的方法及设备。
背景技术
集成电路广泛使用于各种产品中。集成电路已不断地降低价格且增加性能,在现代电子装置中变得无处不在。性能/成本比率的这些改进至少部分基于微型化,其使得能够利用每一新一代的集成电路制造技术而从晶片产生更多半导体裸片。此外,半导体裸片上的信号及电力/接地接点的总数目一般随着新的、更复杂裸片设计而增加。
在将半导体裸片运送到客户之前,基于统计样本或通过测试每一裸片而测试集成电路的性能。半导体裸片的电测试通常包含通过电力/接地接点而给裸片供电、将信号传输到裸片的输入接点及在裸片的输出接点处测量所得信号。因此,在电测试期间,必须使裸片上的至少一些接点电接触以使裸片连接到电源且测试信号。
常规测试接触器包含附接到衬底的接点引脚阵列,所述衬底可为相对刚性印刷电路板(PCB)。在操作中,抵靠晶片按压测试接触器,使得接点引脚阵列与晶片的裸片(即,受测试装置或DUT)上的对应裸片接点(例如,衬垫或焊球)阵列进行电接触。接着,晶片测试器将电测试序列(例如测试向量)通过测试接触器而发送到晶片的裸片的输入接点。响应于测试序列,经测试裸片的集成电路产生输出信号,所述输出信号通过测试接触器而被路由回到晶片测试器以用于分析及确定特定裸片是否通过所述测试。接着,将测试接触器步进到另一裸片或经并行测试的裸片群组上以继续测试,直到整个晶片经测试为止。如果(例如)测试接触器接触经并行测试的裸片群组,那么为测试靠近晶片的边缘的一些裸片群组,测试接触器必须步进于晶片的边缘上方。例如,如果待于四次触地中测试晶片上的全部裸片,那么测试接触器可在一次触地(touch-down)中接触晶片的四分之一,且在测试晶片的彼片段中的裸片之后,在下一次触地中移动到与晶片的另一四分之一接触,以此类推。测试接触器与晶片之间的此接触序列可导致测试接触器在晶片的边缘上方的悬突。由于在一些常规接触器未抵靠受测试裸片而接合全部其接点引脚时的接触器的不均匀力负载,悬突可损坏所述接触器。
一般来说,经散布于裸片的减少区域上的裸片接点的增加数目导致较小接点间隔开较小距离(例如较小节距)。此外,测试接触器的接点引脚的特性直径一般随着半导体裸片或封装上的接触结构的特定尺寸缩放。因此,随着裸片上的接触结构变得更小及/或具有更小节距,测试接触器的接点引脚也变得更小。然而,难以显著地减小测试接触器的接点引脚的直径及节距(例如,由于制造及组装此类小零件的困难),从而导致低良率及从一个测试接触器到另一个测试接触器的不一致性能。此外,测试接触器与晶片之间的精确对准由于晶片上的接触结构的相对较小大小/节距而是困难的。
据此,仍需要不会被不均匀加载损坏且可随着裸片上的接触结构的大小及节距而按比例缩小的具成本效益的测试接触器。
附图说明
当结合附图参考下列详细描述时将更容易了解本发明的上述方面及许多伴随优势,其中:
图1A是根据本发明所揭示技术的实施例的用于测试半导体晶片的测试堆叠的部分的分解图。
图1B是根据本发明所揭示技术的实施例而配置的晶片中继器的部分示意性俯视图。
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