[发明专利]交叉指状多面对称扇出及相关的系统及方法

权利要求书

1.一种用于测试半导体裸片的设备，其包括：

晶片中继器，其具有

晶片侧，其面向所述裸片，其中所述晶片中继器的所述晶片侧运载第一多个晶片侧接触结构及第二多个晶片侧接触结构，其中所述第一多个所述晶片侧接触结构经配置以面向第一裸片的裸片接点，且其中所述第二多个所述晶片侧接触结构经配置以面向第二裸片的裸片接点；

探查侧，其背向所述晶片侧，其中所述晶片中继器的所述探查侧运载第一多个探查侧接触结构及第二多个探查侧接触结构；及

导电迹线，其使所述第一多个所述晶片侧接触结构与所述第一多个探查侧接触结构连接，且使所述第二多个所述晶片侧接触结构与所述第二多个探查侧接触结构连接，

其中所述第一多个所述探查侧接触结构与所述第二多个所述探查侧接触结构交错。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述晶片侧接触结构具有第一尺度，其中所述探查侧接触结构具有第二尺度，且其中所述第一尺度小于所述第二尺度。

3.根据权利要求1所述的设备，其中使所述第一多个所述晶片侧接触结构的所述探查侧接触结构以第一图案布置，使所述第二多个所述晶片侧接触结构的所述探查侧接触结构以第二图案布置，且其中所述第一图案及所述第二图案是相同的。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一多个所述探查侧接触结构包括第一图案，且所述第二多个所述探查侧接触结构包括第二图案，且其中所述第一图案从所述第二图案偏移达一个探查侧接触结构。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一多个所述探查侧接触结构包括第一图案，且所述第二多个所述探查侧接触结构包括第二图案，且其中所述第一图案从所述第二图案偏移达两个探查侧接触结构。

6.根据权利要求1所述的设备，其中使所述第一多个所述晶片侧接触结构的所述探查侧接触结构以第一图案布置，使所述第二多个所述晶片侧接触结构的所述探查侧接触结构以第二图案布置，且其中所述第一图案及所述第二图案是相同的。

7.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

第三多个晶片侧接触结构；及

第三多个探查侧接触结构，其使用所述导电迹线而与所述第三多个晶片侧接触结构连接，其中所述第三多个所述晶片侧接触结构的所述探查侧接触结构与所述第一多个所述晶片侧接触结构及所述第二多个所述晶片侧接触结构交错。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述裸片由与所述晶片中继器接触的半导体晶片运载。

9.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括经配置以接触至少一多个探查侧接触结构的测试接触器。

10.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括与所述测试接触器电接触的测试器。

11.根据权利要求1所述的设备，其中使所述第一多个所述晶片侧接触结构与所述第一多个探查侧接触结构连接的所述导电迹线布线于所述晶片中继器的第一布线层中，且使所述第二多个所述晶片侧接触结构与所述第二多个探查侧接触结构连接的所述导电迹线布线于所述晶片中继器的第二布线层中。

12.一种用于测试半导体裸片的方法，其包括：

使半导体晶片上的所述半导体裸片与晶片中继器的晶片侧的晶片侧接触结构接触；

使所述晶片中继器的探查侧的第一多个探查侧接触结构与测试接触器接触，其中所述晶片中继器的所述探查侧与所述晶片中继器的所述晶片侧相对，且其中所述第一多个所述探查侧接触结构电连接到所述半导体晶片上的第一裸片；及

使第二多个所述探查侧接触结构与所述测试接触器接触，其中所述第二多个所述探查侧接触结构电连接到所述半导体晶片上的第二裸片，且其中所述第一多个所述探查侧接触结构与所述第二多个所述探查侧接触结构交错。