[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201680033006.6 | 申请日: | 2016-05-12 |
公开(公告)号: | CN107709949B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 山口浩平;谷藤真和;村田稔 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | G01L9/00 | 分类号: | G01L9/00;H01L29/84 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 吕文卓 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体装置,具备:第1基板(10),在一面(10a)形成有物理量的感测部(18a~18d),并且形成有与上述感测部电连接、通过使杂质扩散而构成的多个扩散布线层(19a~19d);第2基板(30),一面(30a)与上述第1基板的一面接合。在上述第1基板与上述第2基板之间构成气密室(40),上述感测部被封闭在该气密室内。上述第1基板中,在上述一面,在内缘部构成有上述多个扩散布线层,并且,包围上述多个扩散布线层的部分成为外缘部(15)。上述外缘部在沿着上述第1基板的端部的周向上杂质浓度被设为一定。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,具备:第1基板(10),具有一面(10a),在上述一面,形成有输出与物理量相应的传感器信号的感测部(18a~18d),并且形成有与上述感测部电连接、通过使杂质扩散而构成的多个扩散布线层(19a~19d);以及第2基板(30),具有一面(30a),该一面与上述第1基板的一面接合;在上述第1基板与上述第2基板之间构成气密室(40),上述感测部被封闭在该气密室内;该半导体装置的特征在于,上述第1基板中,在上述一面,在内缘部构成有上述多个扩散布线层,并且,将上述多个扩散布线层包围的部分被设为外缘部(15);上述外缘部在沿着上述第1基板的端部的周向上杂质浓度被设为一定。
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