[发明专利]用于借助于开孔接触件的电镀式连接来使组件电接触的方法和相应的组件模块有效
申请号: | 201680031979.6 | 申请日: | 2016-05-23 |
公开(公告)号: | CN107660308B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | S.施特格迈尔;H.鲍尔埃格尔;V.佐默 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/49;H01L23/485 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;陈岚 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在用于使具有至少一个接触部的组件电接触的方法中,至少一个开孔接触件电镀式连接到至少一个接触部。因此构成组件模块。接触部优选是平面部分或者具有以下接触面:所述接触面的最大的平面延伸比接触部垂直于所述接触面的延伸更大。电镀式连接的温度为最高100℃、优选地最高60℃、适宜地最高20℃并且理想地最高5℃和/或与所述组件的运行温度偏差最高50℃、优选地最高20℃,尤其最高10℃并且理想地最高5℃、优选地最高2℃。组件可以借助所述接触件与另外的组件和/或导电体和/或衬底接触。优选地,考虑具有两个接触部的组件,所述两个接触部在所述组件的相互背离的侧上,其中,对于各个接触部,至少一个开孔接触件在所述接触部上电镀式连接。 | ||
搜索关键词: | 用于 借助于 接触 电镀 连接 来使 组件 方法 相应 模块 | ||
【主权项】:
一种用于使具有至少一个电接触部(40,50)的组件(10)的电接触的方法,其中至少一个开孔接触件(60,70,60',70')电镀式连接到所述至少一个接触部(40,50)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子公司,未经西门子公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680031979.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:氧化硅膜的选择性沉积
- 下一篇:使用具有交替的导电线的库单元的集成电路布局
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造