[发明专利]制造三维装置的方法以及形成多栅极式晶体管的方法有效
| 申请号： | 201680022679.1 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107533960B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 孙世宇;吉田尚美;班杰明·科伦贝亚努;汉斯-乔辛·L·格斯曼 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/8234;H01L21/28;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成三维装置的方法以及一种形成多栅极式晶体管的方法。所述形成三维装置的方法可包括：将离子引导至鳍片结构的延伸区的端面，所述鳍片结构自基板平面垂直地延伸且具有平行于所述基板平面的鳍片轴线，其中所述离子具有在垂直于所述基板平面且平行于所述鳍片轴线的平面中延伸的轨迹，其中所述鳍片结构的一部分被栅极结构覆盖，所述栅极结构定义通道区，且其中所述端面不被所述栅极结构覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 三维 装置 方法 以及 形成 栅极 晶体管 | ||
【主权项】：
一种形成三维装置的方法，其特征在于，包括：将离子引导至鳍片结构的延伸区的端面，所述鳍片结构自基板平面垂直地延伸且具有平行于所述基板平面的鳍片轴线，其中所述离子具有在垂直于所述基板平面且平行于所述鳍片轴线的平面中延伸的轨迹，其中所述鳍片结构的一部分被栅极结构覆盖，所述栅极结构定义通道区，且其中所述端面不被所述栅极结构覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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