[发明专利]用于单片三维(3-D)集成电路(IC)的功率输送网络(PDN)设计有效
| 申请号： | 201680022063.4 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN107534039B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 李圣奎;卡姆比兹·萨玛迪;杜杨 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/48;H01L23/528 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林勳<国际申请>=PCT/US2016 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 系统和方法涉及用于单片三维集成电路3D‑IC的功率输送网络PDN。单片3D‑IC(400)包含与电源/接地凸块(402)相邻且接触的第一裸片(404)。第二裸片(406)堆叠于所述第一裸片(404)上，所述第二裸片通过所述第一裸片与所述电源/接地凸块分隔开。一或多个旁路电源/接地通孔(432)和一或多个单片层间通孔MIV(430)被配置成将功率从所述电源/接地凸块(402)输送到所述第二裸片(406)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 单片 三维 集成电路 ic 功率 输送 网络 pdn 设计 | ||
【主权项】：
1.一种用于在单片三维集成电路3D-IC中输送功率的设备，其包括：/n第一裸片，其中所述第一裸片的第一侧面与电源/接地凸块相邻及接触，且所述/n第一裸片的第二侧面包括介电层；/n第二裸片，其堆叠于所述第一裸片上，其中所述第二裸片的第三侧面与所述介电层接触，且所述第二裸片通过所述第一裸片与所述电源/接地凸块分隔开；/n至少一第一旁路电源/接地通孔，其形成于所述第一裸片中，所述第一旁路电源/接地通孔与所述电源/接地凸块接触；以及/n垂直单片层间通孔MIV，其配置成穿越所述介电层且将所述第一旁路电源/接地通孔耦合到所述第二裸片中的功率输送网络PDN，至少所述第一旁路电源/接地通孔、所述MIV和所述第二裸片中的所述PDN的组合将所述功率从所述电源/接地凸块输送到所述第二裸片。/n
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