[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680019442.8 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107431017B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 细川畅郎;井上直;柴山胜己 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置(1)包含：半导体基板(2)，其形成有贯通孔(7)；第1配线(3)；绝缘层(10)；及第2配线(8)，其在绝缘层(10)的开口(10a)中电连接于第1配线(3)。绝缘层(10)具有：第1弯曲部(101)，其在第1开口(7a)与第2开口(7b)之间覆盖贯通孔(7)的内表面(7c)；与第2弯曲部(102)，其覆盖第2开口(7b)的边缘。第1弯曲部(101)的表面(10b)朝与贯通孔(7)的内表面(7c)相反的一侧凸状地弯曲。第2弯曲部(102)的表面(10b)朝与贯通孔(7)的内表面(7c)相反的一侧凸状地弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其具有彼此相对的第1表面及第2表面，且形成有自所述第1表面到达至所述第2表面的贯通孔；第1配线，其设置于所述第1表面，且一部分位于所述贯通孔的所述第1表面侧的第1开口上；绝缘层，其设置于所述贯通孔的内表面及所述第2表面，且经由所述贯通孔的所述第2表面侧的第2开口而连续；及第2配线，其设置于所述绝缘层的表面，且在所述绝缘层的所述第1表面侧的开口中电连接于所述第1配线，所述绝缘层具有：第1弯曲部，其在所述第1开口与所述第2开口之间覆盖所述贯通孔的所述内表面；及第2弯曲部，其覆盖所述第2开口的边缘，所述第1弯曲部的所述表面朝与所述贯通孔的所述内表面相反的一侧凸状地弯曲，所述第2弯曲部的所述表面朝与所述贯通孔的所述内表面相反的一侧凸状地弯曲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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