[发明专利]半导体装置

摘要

本发明所涉及的半导体装置(1)中的贯通孔(7)为垂直孔。对于包含贯通孔(7)的中心线(CL)的平面来说在分别着眼于中心线(CL)的两侧区域的情况下，将连结对应于绝缘层(10)的开口(10a)的边缘的第1点(X1)和对应于第2开口(7b)的边缘的第2点(X2)的线段设定为第1线段(S1)，将连结第2点(X2)和对应于第2开口(7b)与绝缘层(10)的表面(10b)交叉的点的第3点(X3)的线段设定为第2线段(S2)，将连结第3点(X3)和第1点(X1)的线段设定为第3线段(S3)。此时，相对于第1线段(S1)位于一方侧的绝缘层(10)的第1面积(A1)大于由第1线段(S1)和第2线段(S2)以及第3线段(S3)围起来的绝缘层(10)的第2面积(A2)与相对于第3线段(S3)位于另一方侧的绝缘层(10)的第3面积(A3)之和。

主权项

一种半导体装置，其特征在于：具备：半导体基板，具有互相相对的第1表面以及第2表面并形成有从所述第1表面到所述第2表面的贯通孔；第1配线，设置于所述第1表面并且一部分位于所述贯通孔的所述第1表面侧的第1开口上；绝缘层，设置于所述贯通孔的内面以及所述第2表面并且经由所述贯通孔的所述第2表面侧的第2开口而连续；以及第2配线，设置于所述绝缘层的表面并且在所述绝缘层的所述第1表面侧的开口电连接于所述第1配线，所述贯通孔为垂直孔，关于包含所述贯通孔的中心线的平面，在分别着眼于所述中心线的两侧区域的情况下，将连结对应于所述绝缘层的所述开口的边缘的第1点和对应于所述第2开口的边缘的第2点的线段设定为第1线段，将连结所述第2点和对应于所述第2开口与所述绝缘层的所述表面交叉的点的第3点的线段设定为第2线段，将连结所述第3点和所述第1点的线段设定为第3线段，此时，相对于所述第1线段位于所述贯通孔的所述内面侧的所述绝缘层的第1面积大于由所述第1线段、所述第2线段以及所述第3线段围起来的所述绝缘层的第2面积与相对于所述第3线段位于与所述贯通孔的所述内面相反侧的所述绝缘层的第3面积之和。