[发明专利]电子器件的制造方法和电子器件有效
申请号: | 201680016337.9 | 申请日: | 2016-03-17 |
公开(公告)号: | CN107432086B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 半古明彦 | 申请(专利权)人: | 斯坦雷电气株式会社 |
主分类号: | H05K3/32 | 分类号: | H05K3/32;H05K1/14;H05K3/10 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟;朱丽娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种能够精度良好地将电子部件与高密度的电路图案连接的电子器件的制造方法。将分散有粒径小于1μm的导电性纳米粒子和绝缘材料的溶液或分散有被绝缘材料层包覆的导电性纳米粒子的溶液以期望的形状涂布在透光的基板的表面上,形成被绝缘材料包覆的导电性纳米粒子的膜。在膜上搭载电子部件。从透光的基板的背面侧以规定的图案对膜照射光,利用光对导电性纳米粒子进行烧结。由此,形成与电子部件的电极连接的第1电路图案,并且将第1电路图案与电子部件的电极紧固起来。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电子器件的制造方法,其特征在于,该电子器件的制造方法具有:第1工序,将分散有粒径小于1μm的导电性纳米级粒子和绝缘材料的溶液或分散有被绝缘材料层包覆的所述导电性纳米级粒子的溶液以期望的形状涂布在透光的基板的表面上,形成被所述绝缘材料包覆的所述导电性纳米级粒子的膜;第2工序,在所述膜上搭载电子部件;以及第3工序,从所述基板的背面侧以规定的图案对所述膜照射光,利用所述光对导电性纳米级粒子进行烧结,形成所述规定的图案的由导电性纳米级粒子烧结而成的层,由此形成与所述电子部件的电极连接的第1电路图案,并且将所述第1电路图案与所述电子部件的电极紧固起来。
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