[发明专利]电子器件的制造方法和电子器件

权利要求书

1.一种电子器件的制造方法，所述电子器件具有：透光的基板；被设置于所述基板上的第2电路图案；与所述第2电路图案连接的第1电路图案；以及与所述第1电路图案连接的电子部件，

该电子器件的制造方法的特征在于，

所述第1电路图案的形成工序具有：

第1工序，将分散有粒径小于1μm的导电性纳米级粒子和绝缘材料的溶液或分散有被绝缘材料层包覆的所述导电性纳米级粒子的溶液以期望的形状涂布在所述基板的表面上，形成被所述绝缘材料包覆的所述导电性纳米级粒子的膜；

第2工序，在所述膜上搭载所述电子部件；以及

第3工序，从所述基板的背面侧以规定的图案对所述膜照射光，利用所述光对导电性纳米级粒子进行烧结，形成所述规定的图案的由导电性纳米级粒子烧结而成的层，由此形成与所述电子部件的电极连接的第1电路图案，并且将所述第1电路图案与所述电子部件的电极紧固起来，

所述第2电路图案的形成工序具有：

第4工序，将分散有粒径小于1μm的导电性纳米级粒子、粒径在1μm以上的导电性微米级粒子和绝缘材料的溶液、或分散有分别被绝缘材料层包覆的所述导电性纳米级粒子和所述导电性微米级粒子的溶液以期望的形状涂布在所述基板的表面上，形成被所述绝缘材料包覆的所述导电性纳米级粒子和所述导电性微米级粒子的第2膜；以及

第5工序，从所述基板的背面侧以规定的图案对所述第2膜照射光，利用所述光对导电性纳米级粒子和导电性微米级粒子进行烧结，形成第2电路图案。

2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序之前进行所述第4工序和所述第5工序。

3.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序之前、或在所述第1工序之后且第3工序之前进行所述第4工序，

与所述第3工序的光照射连续地或同时进行所述第5工序的光照射。

4.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

作为所述电子部件使用在上表面和下表面两方具有电极的电子部件，

在通过所述第3工序将所述电子部件的下表面的电极与所述基板的第1电路图案紧固起来后，将预先被实施了所述第1工序的第2基板以使得所述膜接触所述上表面的电极的方式搭载在所述电子部件上，从所述第2基板的背面侧以规定的图案对所述第2基板的所述膜照射光，形成与所述电子部件的上表面的电极连接的第1电路图案，并且将所述第1电路图案与所述电子部件的上表面的电极紧固起来。

5.一种电子器件，该电子器件具有：透光的基板；被设置于所述基板上的第2电路图案；与所述第2电路图案连接的第1电路图案；以及与所述第1电路图案连接的电子部件，其特征在于，

所述第1电路图案的一部分或全部由粒径小于1μm的导电性纳米级粒子烧结而成的层构成，

所述电子部件具有下表面的电极，所述下表面的电极与由所述导电性纳米级粒子烧结而成的层直接接合，

在由所述导电性纳米级粒子烧结而成的层上连续地配置有非导电性层，所述非导电性层含有被绝缘膜包覆的导电性纳米级粒子，

所述第1电路图案被配置于设置在所述基板上的用于搭载电子部件的区域内，

所述基板上还配置有所述第2电路图案，该第2电路图案从所述区域的外侧对所述第1电路图案供给电流，

所述第2电路图案的厚度大于所述第1电路图案的厚度，

所述第2电路图案的一部分或全部由对导电性粒子进行烧结而成的层构成，所述导电性粒子包含粒径小于1μm的导电性纳米级粒子和粒径在1μm以上的导电性微米级粒子。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，所述第1电路图案中的由所述导电性纳米级粒子烧结而成的层的宽度小于所述第2电路图案的宽度。

7.根据权利要求5或6所述的电子器件，其特征在于，

至少具有2块所述基板，2块所述基板被相对配置，在彼此相对的面上分别具有所述第1电路图案，

所述电子部件的上表面和下表面分别与所述彼此相对的2块所述基板的所述第1电路图案连接。