[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680012697.1 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107408577B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 星保幸;原田祐一;椎木崇 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/48;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 齐雪娇;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置的将栅极(7)和源极(8)电绝缘的层间绝缘膜(13)具有依次层叠BPSG膜(100)、NSG膜(101)而成的结构。另外，层间绝缘膜(13)具有依次层叠BPSG膜(100)、NSG膜(101)、SiN膜(102)而成的结构，或者依次层叠BPSG膜(100)、SiN膜(102)、NSG膜(101)而成的结构。如此，能够提高通过焊料接合销状电极的半导体装置的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型宽带隙半导体基板，其包括带隙比硅宽的半导体；第一导电型宽带隙半导体堆积层，其堆积在所述第一导电型宽带隙半导体基板的正面，并且杂质浓度比所述第一导电型宽带隙半导体基板低；第二导电型半导体区，其选择性地设置在所述第一导电型宽带隙半导体堆积层的与所述第一导电型宽带隙半导体基板侧相反一侧的表面层；第二导电型宽带隙半导体层，其设置在所述第一导电型宽带隙半导体堆积层和所述第二导电型半导体区的表面，并且包括带隙比硅宽的半导体；第一个第一导电型区，其选择性地设置在所述第二导电型宽带隙半导体层内的所述第一导电型宽带隙半导体堆积层上；第二个第一导电型区，其选择性地设置在所述第二导电型宽带隙半导体层内；栅极，其隔着栅极绝缘膜设置在所述第二个第一导电型区和所述第一个第一导电型区上；源极，其与所述第二导电型宽带隙半导体层和所述第二个第一导电型区接触；层间绝缘膜，其覆盖所述栅极；漏极，其设置在所述第一导电型宽带隙半导体基板的背面；镀膜，其选择性地设置在所述源极上；以及销状电极，其通过焊料连接到所述镀膜，并且引出外部信号，所述层间绝缘膜具有依次层叠第一绝缘膜和第二绝缘膜而成的结构，所述第二绝缘膜由比所述第一绝缘膜柔软的材料制成。
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