[发明专利]前馈双向植入分裂栅极快闪存储器单元有效
| 申请号： | 201680011401.4 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN107251149B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 柏向正;D·T·格里德 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L29/66;H01L29/788;H01L21/28;H01L29/49;H01L27/11521;H01L21/265;H01L27/11524;H01L29/08;H01L29/167;H01L29/423;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所描述实例中，一种分裂栅极快闪存储器单元(单元)包含半导体表面(205a)。位于第一浮动栅极FG(210)上的第一控制栅极CG(230)及位于第二FG(220)上的第二CG(240)各自位于所述半导体表面上的隧道栅极介电层(211)上。共同源极或共同漏极(245)介于所述第一FG与所述第二FG之间。第一选择栅极(215)及第二选择栅极(225)位于选择栅极介电层(216)上、分别介于第一BL源极或漏极S/D(218)与所述第一FG之间及第二BL S/D(228)与所述第二FG之间。所述第一选择栅极(215)具有第一袋形区域(217)，其具有不同于与所述第二选择栅极(225)相关联的第二袋形区域(227)中的第二掺杂分布的第一掺杂分布，这减小了在使用所述第一选择栅极测量所述单元的读取电流(Ir)与使用所述第二选择栅极测量Ir之间所述Ir的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 植入 分裂 栅极 闪存 单元 | ||
【主权项】：
一种分裂栅极快闪存储器单元(单元)，其包括：衬底，其具有半导体表面；位于第一浮动栅极FG上的第一控制栅极CG及位于第二浮动栅极FG上的第二CG，所述第一CG及所述第二CG各自位于所述半导体表面上的隧道栅极介电层上；共同源极或共同漏极，其位于所述半导体表面中、介于所述第一FG与所述第二FG之间；以及第一选择栅极及第二选择栅极，其位于选择栅极介电层上、分别介于所述半导体表面中的第一BL源极或漏极S/D与所述第一FG之间及所述半导体表面中的第二BL S/D与所述第二FG之间；其中所述第一选择栅极具有第一袋形区域，所述第一袋形区域具有不同于与所述第二选择栅极相关联的第二袋形区域中的第二掺杂分布的第一掺杂分布，这减小了在使用所述第一选择栅极测量所述单元的读取电流(Ir)与使用所述第二选择栅极测量所述Ir之间所述Ir的变化。
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