[发明专利]制备多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201680007941.5 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN107208308B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | K·黑塞;E·多恩贝格尔;C·赖曼 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 彭丽丹;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的目的是生产多晶硅的方法，其包括以下步骤：提供用于接收硅熔体的坩埚，所述坩埚包含底部和内表面，其中至少所述坩埚的底部具有涂层，所述涂层包含一种或多种选自Si |
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| 搜索关键词： | 制备 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种制造多晶硅的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供用于接收硅熔体的坩埚，所述坩埚包含底部和内表面，其中至少所述坩埚的底部具有涂层，所述涂层包含一种或多种选自Si3N4、氧化的Si3N4和SiO2的化合物，‑在所述坩埚中布置硅层与所述坩埚底部的涂层接触，‑在所述坩埚中布置多晶硅与所述硅层接触，‑加热所述坩埚，直到所述多晶硅和所述硅层完全熔化，以得到硅熔体；‑定向凝固所述硅熔体以形成多晶硅块，其中所述硅层在所述坩埚加热期间和/或在所述硅层熔化期间释放还原剂。
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