[发明专利]电磁波检测器以及电磁波检测器阵列有效
| 申请号： | 201680007180.3 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN107210326B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 小川新平;藤泽大介;岛谷政彰 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0248 | 分类号： | H01L31/0248;H01L27/144;H01L31/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 程晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 电磁波检测器包括基板、设置于基板之上的绝缘层、设置于绝缘层之上的石墨烯层、夹着石墨烯层设置于绝缘层之上的一对电极以及夹在石墨烯层与电极之间并将它们隔离的缓冲层。电磁波检测器阵列包括阵列状地配置的相同或者相互不同的电磁波检测器。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁波 检测器 以及 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种电磁波检测器，其特征在于，包括：基板；绝缘层，设置于该基板之上；石墨烯层，设置于该绝缘层之上；一对电极，夹着该石墨烯层设置于该绝缘层之上；以及缓冲层，分别夹在该石墨烯层与该一对电极之间并将它们隔离，以妨碍该石墨烯层与该一对电极之间的电荷的移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
