[发明专利]电磁波检测器以及电磁波检测器阵列有效
申请号: | 201680007180.3 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN107210326B | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 小川新平;藤泽大介;岛谷政彰 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/0248 | 分类号: | H01L31/0248;H01L27/144;H01L31/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 程晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁波 检测器 以及 阵列 | ||
1.一种电磁波检测器,其特征在于,包括:
基板;
绝缘层,设置于该基板之上;
石墨烯层,设置于该绝缘层之上;
一对电极,夹着该石墨烯层设置于该绝缘层之上;以及
缓冲层,分别夹在该石墨烯层与该一对电极之间并将它们隔离,以妨碍该石墨烯层与该一对电极之间的电荷的移动。
2.根据权利要求1所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述一对电极由相同材料构成。
3.根据权利要求1所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述一对电极中的一个电极的材料与所述一对电极中的另一个电极的材料不同。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
在所述石墨烯层与所述电极之间形成有与该石墨烯层中的狄拉克点不同的狄拉克点(DPe)。
5.根据权利要求1~3中的任一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述电极包括金属,所述缓冲层包括该金属的氧化物。
6.根据权利要求1~3中的任一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
以覆盖所述石墨烯层以及所述缓冲层的方式设置有保护膜。
7.根据权利要求1~3中的任一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
在所述一对电极中,电极与所述石墨烯层夹着所述缓冲层而相向的部分的面积在该电极之间不同。
8.根据权利要求1~3中的任一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
设置于所述一对电极中的一个电极与所述石墨烯层之间的缓冲层的材料与设置于所述一对电极中的另一个电极与所述石墨烯层之间的缓冲层的材料不同。
9.根据权利要求1~3中的任一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
在所述电极的表面形成有发生表面等离激元共振的周期性的凹部或者凸部。
10.根据权利要求1~3中的任一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
在所述石墨烯的表面形成有发生表面等离激元共振的周期性的凹部或者凸部。
11.根据权利要求9所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述周期性的凹部包括1维或者2维地配置的周期性的孔或者并排配置的1维的槽。
12.根据权利要求10所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述周期性的凹部包括1维或者2维地配置的周期性的孔或者并排配置的1维的槽。
13.根据权利要求1~3中的任一项所述的电磁波检测器,其特征在于,
所述石墨烯层具有2层以上的石墨烯的层叠构造、2维材料、2维材料的层叠构造或者石墨烯与2维材料的层叠构造。
14.一种电磁波检测器阵列,其特征在于,
阵列状地配置有权利要求1~13中的任一项所述的电磁波检测器。
15.一种电磁波检测器阵列,其特征在于,
阵列状地配置有作为权利要求9~13中的任一项所述的电磁波检测器的相互不同的电磁波检测器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的