[发明专利]高密度分裂栅存储器单元

摘要

本发明公开了一种形成存储器设备的方法，该方法包括在衬底上形成第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第二导电层、第三绝缘层。第一沟槽穿过第三绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和第一导电层形成，从而使第一导电层的侧面部分暴露。第四绝缘层形成在第一沟槽的底部处，第四绝缘层沿着第一导电层的暴露部分延伸。第一沟槽填充有导电材料。第二沟槽穿过第三绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和第一导电层形成。漏极区形成在第二沟槽下方的衬底中。产生一对存储器单元，其中单个连续沟道区在所述对存储器单元的漏极区之间延伸。

主权项

一种形成存储器设备的方法，包括：将多个分离的第一沟槽形成到半导体衬底的表面中，其中所述第一沟槽彼此平行，并且沿第一方向延伸，并且在所述第一沟槽之间限定所述衬底的有源区；用绝缘材料来填充所述第一沟槽；在所述有源区中的每个有源区中在所述衬底的所述表面上形成第一绝缘层；在所述有源区中的每个有源区中的所述第一绝缘层上形成第一导电层；在所述有源区中的每个有源区中的所述第一导电层上形成第二绝缘层；在所述有源区中的每个有源区中的所述第二绝缘层上形成第二导电层；在所述有源区中的每个有源区中的所述第二导电层上形成第三绝缘层；穿过所述第三绝缘层形成多个分离的第二沟槽，其中所述第二沟槽彼此平行，并且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；使所述第二沟槽延伸穿过所述第二导电层和所述第二绝缘层；使所述第二沟槽延伸穿过所述第一导电层，从而使所述第一导电层的侧面部分暴露；在所述第二沟槽的所述底部处形成第四绝缘层，所述第四绝缘层沿着所述第一导电层的所述暴露部分延伸；用导电材料填充所述第二沟槽，其中所述导电材料通过所述第四绝缘层与所述衬底表面和所述第一导电层绝缘；穿过所述第三绝缘层形成多个第三沟槽，其中所述第三沟槽彼此平行，并且沿所述第二方向延伸，使得所述第二沟槽和所述第三沟槽彼此交替；使所述第三沟槽延伸穿过所述第二导电层、所述第二绝缘层和所述第一导电层；进行注入以在所述衬底中在所述第三沟槽下方形成漏极区。