[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种在第1基板(10)与第2基板(20)的凹部(20c)之间构成有真空的气密室(30)的半导体装置的制造方法，其中，具有下述工序：准备含有硅的所述第1及第2基板，对所述第1及第2基板进行接合，进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理，在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中，使所述第1及第2基板的OH基共价键合。在所述加热处理中，以1℃/sec以下的升温速度进行加热，使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分达到700℃以上而生成氢气，以所述氢气的扩散距离达到所述气密室的壁面与大气之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间，从而从所述气密室排出所述氢气。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置具备：具有一面(10a)的第1基板(10)；和第2基板(20)，所述第2基板(20)具有一面(20a)及与所述一面(20a)成相反侧的另一面(20b)，在所述第2基板(20)的一面侧形成凹部(20c)，该一面以与所述第1基板的一面相对的状态与所述第1基板接合，以包含所述第1基板与所述第2基板的凹部之间的空间的方式构成气密室(30)，所述气密室形成为真空；所述半导体装置的制造方法具备以下工序：准备含有硅的所述第1基板的工序、准备在所述第2基板的所述一面上形成有所述凹部、并含有硅的所述第2基板的工序、以构成所述气密室的方式，将所述第1基板的一面与所述第2基板的一面接合的工序、进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理的工序、在接合所述第1基板的一面与所述第2基板的一面之前，在所述第1基板的一面侧及所述第2基板的包含凹部的壁面的一面侧生成OH基的工序；在对所述第1基板的一面与所述第2基板的一面进行接合时，使生成于所述第1基板的一面的OH基与生成于所述第2基板的一面的OH基共价键合；在进行所述加热处理时，以1℃/sec以下的升温速度，将所述第1基板及所述第2基板中的生成有所述OH基的部分加热达到700℃以上，从而生成氢气，同时以所述氢气的扩散距离达到构成所述气密室的壁面与暴露于大气中的壁面之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间，从而将所述氢气从所述气密室排出。