[发明专利]太阳能电池及其制造方法

摘要

太阳能电池在晶体硅基板的第一主面上具有n型半导体层(6)及p型半导体层(7)。n型半导体层以横跨设置有p型半导体层的p型半导体层形成区域上的一部分和未设置p型半导体层的p型半导体层非形成区域的方式设置。在p型半导体层形成区域上的设置有n型半导体层的区域中，在p型半导体层和n型半导体层之间设置有保护层(8)。保护层具备与p型半导体层相接设置的基底保护层(8b)和设置于基底保护层上的绝缘层(8a)。基底保护层包含本征硅基层及n型硅基层的任一种。

主权项

1.一种太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池在晶体硅基板的第一主面上具备n型半导体层及p型半导体层，其中，所述制造方法按顺序具备下述工序：图案层形成工序，在晶体硅基板的第一主面上形成p型半导体层形成区域和p型半导体层非形成区域，在所述p型半导体层形成区域，按顺序设置有p型半导体层及保护层，在所述p型半导体层非形成区域，p型半导体层及保护层均未设置；n型半导体层形成工序，以覆盖所述p型半导体层形成区域和所述p型半导体层非形成区域的方式形成n型半导体层；n型半导体层构图工序，以所述保护层在所述n型半导体层之间露出的方式去除所述n型半导体层的一部分；及保护层构图工序，以所述p型半导体层在所述n型半导体层之间露出的方式去除在所述n型半导体层之间露出的所述保护层，所述保护层具有与所述p型半导体层相接设置的基底保护层和设置于所述基底保护层上的绝缘层，所述基底保护层具有选自由本征硅基层及n型硅基层构成的组中的一个以上的层。