[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池在晶体硅基板的第一主面上具备n型半导体层及p型半导体层，其中，所述制造方法按顺序具备下述工序：

图案层形成工序，在晶体硅基板的第一主面上形成p型半导体层形成区域和p型半导体层非形成区域，在所述p型半导体层形成区域，按顺序设置有p型半导体层及保护层，在所述p型半导体层非形成区域，p型半导体层及保护层均未设置；

n型半导体层形成工序，以覆盖所述p型半导体层形成区域和所述p型半导体层非形成区域的方式形成n型半导体层；

n型半导体层构图工序，以所述保护层在所述n型半导体层之间露出的方式去除所述n型半导体层的一部分；及

保护层构图工序，以所述p型半导体层在所述n型半导体层之间露出的方式去除在所述n型半导体层之间露出的所述保护层，

所述保护层具有与所述p型半导体层相接设置的基底保护层和设置于所述基底保护层上的绝缘层，

所述基底保护层具有选自由本征硅基层及n型硅基层构成的组中的一个以上的层。

2.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，

所述绝缘层含有选自由氧化硅、氮化硅及氮氧化硅构成的组中的一种以上。

3.如权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其中，

在所述保护层构图工序中，

使用对所述绝缘层的蚀刻率比对所述基底保护层的蚀刻率大的蚀刻剂去除所述绝缘层，

在去除所述绝缘层后，使用对所述基底保护层的蚀刻率比对所述p型半导体层的蚀刻率大的蚀刻剂去除所述基底保护层。

4.如权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其中，

用于所述基底保护层的去除的蚀刻剂，对所述基底保护层的蚀刻率比对所述绝缘层的蚀刻率大。

5.如权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其中，

用于所述绝缘层的去除的蚀刻剂是酸性蚀刻剂。

6.如权利要求5所述的太阳能电池的制造方法，其中，

所述酸性蚀刻剂含有氢氟酸。

7.如权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其中，

用于所述基底保护层的去除的蚀刻剂是碱性蚀刻剂。

8.如权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其中，

所述碱性蚀刻剂包含选自由KOH及NaOH构成的组中的一种以上。

9.如权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其中，

所述基底保护层是本征硅基层。

10.如权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其中，

所述p型半导体层是p型硅基层。

11.如权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其中，

所述图案层形成工序按顺序具有下述工序：

p型半导体层形成工序，在所述晶体硅基板的第一主面上形成p型半导体层；

保护层形成工序，在所述p型半导体层上形成保护层；及

p型半导体层构图工序，去除在所述保护层之间露出的所述p型半导体层。

12.如权利要求11所述的太阳能电池的制造方法，其中，

在所述保护层形成工序和所述p型半导体层构图工序之间还具有p层露出构图工序，所述p层露出构图工序去除所述保护层的一部分，使所述p型半导体层在所述保护层之间露出。