[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680002462.4 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN107078061B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 小野泽勇一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/66;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能够在具有沟槽栅极构造的半导体装置的制造工艺中实施适当的筛查的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具备以下步骤：在平板状的基体部的上表面形成第一沟槽和第二沟槽(3a，3b)；在第一沟槽和第二沟槽(3a，3b)各自的内部形成绝缘膜(4)；以隔着绝缘膜(4)填充第一沟槽和第二沟槽(3a，3b)各自的内部的方式在基体部的上表面上形成导电膜(5a)；对导电膜(5a)与基体部的下表面之间施加电压来检查绝缘膜(4)的绝缘特性；以及在检查绝缘特性之后，将上表面上的导电膜(5a)选择性地去除，在第一沟槽(3a)的内部形成栅极电极，在第二沟槽(3b)的内部形成与栅极电极分离的分离电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下步骤：在平板状的基体部的上表面形成第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽各自的内部形成绝缘膜；以隔着所述绝缘膜填充所述第一沟槽和所述第二沟槽各自的内部的方式在所述基体部的上表面上形成导电膜；对所述导电膜与所述基体部的下表面之间施加电压来检查所述绝缘膜的绝缘特性；以及在检查所述绝缘特性之后，将所述上表面上的所述导电膜选择性地去除，在所述第一沟槽的内部形成栅极电极，在所述第二沟槽的内部形成与所述栅极电极分离的分离电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
