[发明专利]透明导电配线及透明导电配线的制造方法有效

专利信息
申请号: 201680002259.7 申请日: 2016-02-26
公开(公告)号: CN106796885B 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 盐野一郎;岁森悠人;野中庄平;斋藤淳 申请(专利权)人: 三菱综合材料株式会社
主分类号: H01L21/3213 分类号: H01L21/3213;B32B9/00;B32B15/04;C23C14/06;H01B5/14;H01B13/00;H01L21/306;H01L21/768;H05K3/06
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司11018 代理人: 崔今花,周艳玲
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 该透明导电配线(10)具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜(11)及层叠于该Ag膜(11)上的透明导电氧化物膜(12),且通过蚀刻处理形成有配线图案,所述透明导电配线(10)中,Ag膜(11)的膜厚(ta)在15nm以下的范围内,Ag膜(11)相对于透明导电氧化物膜(12)的过蚀刻量(L)为1μm以下。
搜索关键词: 透明 导电 制造 方法
【主权项】:
一种透明导电配线,其具有由Ag合金构成的Ag膜及层叠于该Ag膜上的透明导电氧化物膜,且通过蚀刻处理形成有配线图案,所述透明导电配线的特征在于,所述Ag膜的膜厚在15nm以下的范围内,所述Ag膜相对于所述透明导电氧化物膜的过蚀刻量为1μm以下,所述Ag膜由如下组成的Ag合金构成:以合计为0.05原子%以上且10.0原子%以下的范围包含Sn、In、Mg、Ti中的任意一种或两种以上的元素来作为添加元素,还包含0.01原子%以上的Sb及0.1原子%以上的Cu中的任意一种或两种来作为添加元素,并且所有添加元素的合计为10.0原子%以下,且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱综合材料株式会社,未经三菱综合材料株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680002259.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top