[发明专利]透明导电配线及透明导电配线的制造方法有效
申请号: | 201680002259.7 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN106796885B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 盐野一郎;岁森悠人;野中庄平;斋藤淳 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;B32B9/00;B32B15/04;C23C14/06;H01B5/14;H01B13/00;H01L21/306;H01L21/768;H05K3/06 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 崔今花,周艳玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 该透明导电配线(10)具有由Ag或Ag合金构成的Ag膜(11)及层叠于该Ag膜(11)上的透明导电氧化物膜(12),且通过蚀刻处理形成有配线图案,所述透明导电配线(10)中,Ag膜(11)的膜厚(ta)在15nm以下的范围内,Ag膜(11)相对于透明导电氧化物膜(12)的过蚀刻量(L)为1μm以下。 | ||
搜索关键词: | 透明 导电 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种透明导电配线,其具有由Ag合金构成的Ag膜及层叠于该Ag膜上的透明导电氧化物膜,且通过蚀刻处理形成有配线图案,所述透明导电配线的特征在于,所述Ag膜的膜厚在15nm以下的范围内,所述Ag膜相对于所述透明导电氧化物膜的过蚀刻量为1μm以下,所述Ag膜由如下组成的Ag合金构成:以合计为0.05原子%以上且10.0原子%以下的范围包含Sn、In、Mg、Ti中的任意一种或两种以上的元素来作为添加元素,还包含0.01原子%以上的Sb及0.1原子%以上的Cu中的任意一种或两种来作为添加元素,并且所有添加元素的合计为10.0原子%以下,且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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