[实用新型]一种室温p型磁性半导体p‑n‑p结器件和电控磁器件

摘要

本实用新型公开了微纳电子和自旋电子学材料的半导体器件制备技术领域的一种室温p型磁性半导体p‑n‑p结器件和电控磁器件。所述基于室温p型磁性半导体p‑n‑p结器件是一种基于室温p型磁性半导体和n型Si的p‑n结和p‑n‑p双重结器件，在n型Si上下表面镀有p型磁性半导体薄膜，形成了Au/p‑CoFeTaBo/n‑Si/p‑CoFeTaBo/Au结构的p‑n‑p结器件，具有明显的整流效应；所述电控磁器件是在单晶硅表面依次镀上一层Cr膜、Au膜、一层p型磁性半导体薄膜和HfO2绝缘氧化物薄膜；该电控磁器件通过外加门电压产生的电场效应对其磁学性能进行有效调控并与以Si为基础的半导体易实现兼容。

主权项

一种基于室温p型磁性半导体p‑n‑p结器件和电控磁器件，其特征在于，包括基于室温p型磁性半导体p‑n结、p‑n‑p双重结器件和电控磁器件的结构；所述室温p型磁性半导体p‑n‑p结器件是一种基于p型磁性半导体和n型Si的p‑n‑p双重结器件，在n型Si上下表面镀有室温p型磁性半导体薄膜，然后分别在n‑Si和两层薄膜表面镀金膜电极，连接铜引线，形成了Au/p‑CoFeTaBo/n‑Si/p‑CoFeTaBo/Au结构的p‑n‑p双重结器件；该p‑n‑p双重结器件具有明显整流效应，与目前以Si为基础的半导体更易于实现兼容；所述电控磁器件是在单晶硅表面依次镀上一层Cr膜和Au膜作为底电极，在Au膜表面依次沉积一p型磁性半导体薄膜和HfO2绝缘氧化物薄膜；在绝缘氧化物薄膜和Au层膜之间施加门电压进行磁学性能的调控。