[实用新型]一种适于芯片级封装的LED芯片结构有效
| 申请号： | 201620783980.1 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN205845997U | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 陈锦全 | 申请（专利权）人： | 肇庆市欧迪明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/64;H01L33/20;H01L33/62;H01L33/44 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司44228 | 代理人： | 杨英华 |
| 地址： | 526073 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种适于芯片级封装的LED芯片结构，属于光电子发光器件技术领域，包括蓝宝石层、N‑GaN层、量子阱发光层、P‑GaN层、P型欧姆接触层、P型焊接电极、反射层、N型焊接电极和N型欧姆接触层，还包括钝化层、过渡层和保护层，所述的蓝宝石层下依次设有N‑GaN层、量子阱发光层、P‑GaN层、P型欧姆接触层，本实用新型提供了一种于芯片级封装的LED芯片结构，能及时将半导体产生的热量扩散，延长芯片的使用寿命，可提高光的利用效率，防止P型层和N型层短路或漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适于 芯片级 封装 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种适于芯片级封装的LED芯片结构，包括蓝宝石层(1)、N‑GaN层(2)、量子阱发光层(4)、P‑GaN层(5)、P型欧姆接触层(6)、P型焊接电极(7)、反射层(9)、N型焊接电极(11)和N型欧姆接触层(12)，其特征在于：还包括钝化层(3)、过渡层(8)和保护层(10)，所述的蓝宝石层(1)下依次设有N‑GaN层(2)、量子阱发光层(4)、P‑GaN层(5)、P型欧姆接触层(6)，在蓝宝石层(1)两侧壁面底端平齐至P型焊接电极(7)和N型焊接电极(11)的底端设有钝化层(3)，P型欧姆接触层(6)下部的左端设有P型焊接电极(7)，P型欧姆接触层(6)和P型焊接电极(7)之间自上而下依次设有过渡层(8)、反射层(9)和保护层(10)，在N‑GaN层(2)下部的右端依次设有N型欧姆接触层(12)和N型焊接电极(11)。
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