[实用新型]一种SOD882单芯高密度框架有效
| 申请号： | 201620776074.9 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN206022353U | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 罗天秀;樊增勇;李东;崔金忠;许兵;任伟;刘剑 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所51221 | 代理人： | 王芸,熊晓果 |
| 地址： | 611731 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体封装制造技术，具体涉及一种SOD882单芯高密度框架，包括用于承装芯片的矩形框架，所述框架上设有将框架均分为两个区域的分区槽，所述分区槽的方向与框架短边平行，在每个区域内都设有多个芯片安装单元，每个芯片安装单元上设置有1个芯片安装区，相邻芯片安装单元之间的框架为半腐蚀框架。该框架可进一步提高框架的利用率，并能改善框架的翘曲，节约生产成本、保证框架质量，便于切割、保证切割尺寸准确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sod882 高密度 框架 | ||
【主权项】：
一种SOD882单芯高密度框架，包括用于承装芯片的矩形框架，其特征在于，所述框架上设有将框架均分为两个区域的分区槽，所述分区槽的方向与框架短边平行，在每个区域内都设有多个芯片安装单元，每个芯片安装单元上设置有1个芯片安装区，相邻芯片安装单元之间的框架为半腐蚀框架，在框架的边框与芯片安装区域之间还设有半腐蚀区域，且该半腐蚀区域沿框架的长度方向布置。
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