[实用新型]半导体气体传感器芯片及传感器有效
| 申请号： | 201620736890.7 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN205808982U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张克栋;顾唯兵;王玲;崔铮 | 申请（专利权）人： | 苏州纳格光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种半导体气体传感器芯片、传感器及其制备方法，其中，半导体气体传感器芯片包括：基底，包括相对设置的第一基底表面和第二基底表面；设置于第一基底表面上的加热层和功能层及设置于第二基底表面上的绝热层；绝缘介质层，设置于功能层和加热层之间；加热层较功能层靠近第一基底表面，加热层包括相互电性连接的加热电阻和加热电极，功能层包括相互电性连接的信号感测电极和气体敏感层。与现有技术相比，本实用新型提供的半导体气体传感器芯片，通过绝热层固定于基座上形成半导体气体传感器，与传统半导体气体传感器制备工艺相比，具有更小的封装尺寸和更低的功耗；与MEMS气体传感器制备工艺相比，制备工艺更简单。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 气体 传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种半导体气体传感器芯片，其特征在于，包括：基底，包括相对设置的第一基底表面和第二基底表面；设置于所述第一基底表面上的加热层和功能层及设置于所述第二基底表面上的绝热层；绝缘介质层，设置于所述功能层和所述加热层之间；其中，所述加热层较所述功能层靠近所述第一基底表面，所述加热层包括相互电性连接的加热电阻和加热电极，所述功能层包括相互电性连接的信号感测电极和气体敏感层。
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