[实用新型]MEMS器件有效
| 申请号： | 201620714829.2 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN206014407U | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 闻永祥;季锋;刘琛;覃耀慰;张小丽 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人： | 蔡纯,张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MEMS器件，包括基底；多晶埋层，位于所述基底上，所述多晶埋层图形化一个或多个多晶图形；牺牲层，位于所述多晶埋层上，所述牺牲层中具有空腔，所述多晶图形的至少一部分位于所述空腔内；运动质量块层，所述运动质量块层的至少一部分由所述多晶埋层支撑，所述运动质量块层包括位于所述空腔上方的运动质量块，所述运动质量块朝向所述空腔的表面具有向所述空腔突出的突点；防粘附层，位于所述多晶埋层与所述运动质量块层之间的裸露表面上。本实用新型能够减小运动质量块与基底和/或多晶埋层之间的接触面积，以及由于防粘附层的疏水性和低表面粘附力，可以有效地减少或防止粘连。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件，其特征在于，包括：基底；多晶埋层，位于所述基底上，所述多晶埋层图形化一个或多个多晶图形；牺牲层，位于所述多晶埋层上，所述牺牲层中具有空腔，所述多晶图形的至少一部分位于所述空腔内；运动质量块层，所述运动质量块层的至少一部分由所述多晶埋层支撑，所述运动质量块层包括位于所述空腔上方的运动质量块，所述运动质量块朝向所述空腔的表面具有向所述空腔突出的突点；其中，所述MEMS器件还包括：防粘附层，位于所述多晶埋层与所述运动质量块层之间的裸露表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰集成电路有限公司，未经杭州士兰集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620714829.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无VOCs挥发的成品油储存、运输和加油的系统
- 下一篇：一种半导体晶圆
