[实用新型]一种金属氧化物半导体场效应晶体管阵列

摘要

本实用新型公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管阵列，包括若干个功率类的非门驱动单元，所述非门驱动单元包括MOS管、第一电阻、第二电阻和二极管；所述MOS管的栅极连接第一电阻的一端和第二电阻的一端，第一电阻的另一端为非门驱动单元的输入端，第二电阻的另一端连接MOS管的源极和地；MOS管的漏极为非门驱动单元的输出端、连接二极管的正极；二极管的负极为非门驱动单元的供电端；通过MOS管可在弱驱动信号下，提供有效的大电流驱动；由第一电阻和第二电阻组成的电阻网络电路可以适应更宽的频率驱动信号；从而解决了现有达林顿晶体管阵列针对弱电流弱电压驱动信号，不能达到有效的驱动效果的问题。

主权项

一种金属氧化物半导体场效应晶体管阵列，其特征在于，包括：若干个非门驱动单元，各非门驱动单元的输入端为金属氧化物半导体场效应晶体管阵列的各输入端，各非门驱动单元的输出端为金属氧化物半导体场效应晶体管阵列的各输出端，各非门驱动单元的供电端相互连接且均连接金属氧化物半导体场效应晶体管阵列的公共端；所述非门驱动单元包括MOS管、第一电阻、第二电阻和二极管；所述MOS管的栅极连接第一电阻的一端和第二电阻的一端，第一电阻的另一端为非门驱动单元的输入端，第二电阻的另一端连接MOS管的源极和地；MOS管的漏极为非门驱动单元的输出端、连接二极管的正极；二极管的负极为非门驱动单元的供电端。