[实用新型]高像素影像传感芯片的封装结构有效
申请号: | 201620300443.7 | 申请日: | 2016-04-12 |
公开(公告)号: | CN205609527U | 公开(公告)日: | 2016-09-28 |
发明(设计)人: | 于大全;肖智轶;豆菲菲 | 申请(专利权)人: | 华天科技(昆山)电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人: | 盛建德;段新颖 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种高像素影像传感芯片的封装结构,该封装结构包含一影像传感芯片和一盖板,盖板第二表面形成有第三凹槽,与其相对的第一表面上形成有第一凹槽、第二凹槽,第二凹槽与第三凹槽之间通过贯通的通孔连接。第三凹槽中放置有透光基板,第二凹槽上形成有金属凸点或者焊球,影像传感芯片通过焊垫与盖板的焊球或者金属凸点键合,盖板与影像传感芯片键合部分的周围形成有密封环结构。本实用新型盖板单独制作,能够防止影像传感芯片表面被污染,实现高像素;再次,盖板与影像传感芯片键合后的外围形成有密封环,可提高封装的可靠性;最后,透光基板是嵌入盖板中的,进一步减少了封装尺寸,进一步实现了高像素,工艺简单,节约成本,有效提高了封装的可靠性和产品的良率。 | ||
搜索关键词: | 像素 影像 传感 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种高像素影像传感芯片的封装结构,其特征在于:包括影像传感芯片(1)和盖板(2),所述影像传感芯片的功能面包含感光区(101)和位于感光区周围的若干焊垫(102);所述盖板包含第一表面和与其相对的第二表面,所述第一表面上形成有第一凹槽(201),所述第一凹槽底部形成有第二凹槽(202),所述第二表面形成有与所述第二凹槽相对的第三凹槽(204),所述第三凹槽与第二凹槽之间有通孔(203),所述通孔的尺寸不小于所述影像传感芯片的感光区的尺寸;所述第二凹槽通孔外的部分形成有金属互连结构,所述金属互连结构包括与所述影像传感芯片的焊垫对应键合的第一导电体(8),该金属互连结构的电性自第二凹槽经第一凹槽引至第一表面上;所述影像传感芯片的功能面与所述盖板键合在一起,使所述影像传感芯片的感光区正对所述通孔,使所述影像传感芯片的焊垫与所述金属互连结构上对应的第一导电体键合,第一导电体外键合后的影像传感芯片与第一凹槽(201)底部之间形成有密封环(9);所述第三凹槽内或所述通孔内键合有尺寸不小于所述感光区尺寸的透光基板(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华天科技(昆山)电子有限公司,未经华天科技(昆山)电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620300443.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的