[实用新型]半导体发光器件

摘要

本实用新型公开了一种半导体发光器件，包括衬底，在衬底上外延生长有缓冲层，在缓冲层上外延生长有n型氮化物半导体层，在n型氮化物半导体层上外延生长有有源层，在有源层上外延生长有p型氮化物半导体层，形成台面，p型氮化物半导体层上设有通过电子束蒸法或溅镀法沉积并通过蚀刻溶液蚀刻内缩后去除光阻的透明导电层，形成上表面为透明导电层的凸台结构；凸台结构的表面上沉积有通过黄光蚀刻电流分布图案并去除光阻的绝缘层以及沉积有通过黄光蚀刻电极图案并去除光阻的透明线电极。线电极结构为透明线电极，在透明线电极下方的光不需要反射，直接经透明线电极透射出来。

主权项

一种半导体发光器件，包括衬底(1)，在所述衬底(1)上外延生长有缓冲层(2)，在所述缓冲层(2)上外延生长有n型氮化物半导体层(3)，在所述n型氮化物半导体层(3)上外延生长有有源层(4)，在所述有源层(4)上外延生长有p型氮化物半导体层(5)，形成台面，其特征在于，所述p型氮化物半导体层(5)上设有通过电子束蒸法或溅镀法沉积并通过蚀刻溶液蚀刻内缩后去除光阻的透明导电层(6)，形成上表面为所述透明导电层(6)的凸台结构；所述凸台结构的表面上沉积有通过黄光蚀刻电流分布图案并去除光阻的绝缘层(7)以及沉积有通过黄光蚀刻电极图案并去除光阻的透明线电极(8)。