[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201620160480.2 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN205845936U | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | M·加耶夫斯基;G·西敏;M·S·沙塔拉维;A·杜博尔因斯基;M·舒尔;R·格斯卡 | 申请（专利权）人： | 传感器电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国南卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件。半导体器件包括：包含半导体层的半导体结构；以及至半导体层的基本上线性的穿孔接触件，穿孔接触件包含：由金属形成的位于半导体结构中的多个腔中的多个穿孔元件，其中多个穿孔元件具有最小化半导体结构中的多个穿孔元件和二维气之间的电阻的横向间隔距离、横向宽度和横向长度；以及位于包括多个腔的半导体结构的区域上的金属的顶层。本实用新型用于半导体器件中。本实用新型的一个方面的目的是提供至半导体结构中的半导体层的穿孔欧姆接触件。本实用新型的一个方面的技术效果是相应半导体器件的操作、稳定性以及寿命可以通过采用改进的欧姆接触件而提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：包含半导体层的半导体结构；以及至半导体层的基本上线性的穿孔接触件，穿孔接触件包含：由金属形成的位于半导体结构中的多个腔中的多个穿孔元件，其中多个穿孔元件具有最小化半导体结构中的多个穿孔元件和二维气之间的电阻的横向间隔距离、横向宽度和横向长度；以及位于包括多个腔的半导体结构的区域上的金属的顶层。
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