[发明专利]飞行时间探测像素

摘要

本申请涉及飞行时间探测像素。该像素包括半导体衬底，该像素包括：光敏区域，包括第一导电类型的第一掺杂层和所述第一类型的电荷收集区域，电荷收集区域比第一层更重掺杂并且延伸穿过第一层的全部或部分；至少两个电荷存储区域，每个电荷存储区域包括第一类型的阱，阱比电荷收集区域更重掺杂并且至少通过第一层的第一部分与电荷收集区域隔开，第一部分被第一栅极覆盖，每个电荷存储区域在横向上由两个绝缘的导电电极界定，所述两个绝缘的导电电极彼此平行且面对；以及第二导电类型的第二掺杂层，覆盖收集区域和电荷存储区域。

主权项

1.一种飞行时间探测像素(40，80，90)，包括半导体衬底(43)，所述飞行时间探测像素包括：光敏区域(PD)，包括第一导电类型(N1)的第一掺杂层(41)和所述第一类型的电荷收集区域(45)，所述电荷收集区域比所述第一层更重掺杂(N2)并且延伸穿过所述第一层的全部或部分；至少两个电荷存储区域(mem1，mem2，mem3)，每个电荷存储区域包括所述第一类型的阱(57)，所述阱比所述电荷收集区域更重掺杂(N5)并且至少通过所述第一层的第一部分(41A，69)与所述电荷收集区域隔开，所述第一部分被第一栅极(59)覆盖，每个电荷存储区域在横向上由两个绝缘的导电电极(49)界定，所述两个绝缘的导电电极彼此平行且面对；以及第二导电类型(P+)的第二掺杂层(47)，覆盖所述收集区域和所述电荷存储区域。